[发明专利]锗‑锑‑碲化学机械抛光浆料

权利要求书

1.一种用于抛光锗-锑-碲(GST)合金的含水化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含含水载体，该含水载体含有：

(a)粒状研磨剂，其选自胶体二氧化硅研磨剂及二氧化铈研磨剂；

(b)水溶性表面活性材料；

(c)氨基酸腐蚀抑制剂，其中该氨基酸腐蚀抑制剂包括赖氨酸，该氨基酸腐蚀抑制剂以在0.01至2重量％范围内的浓度存在于该组合物中；及

(d)络合剂，其中该络合剂包括膦酸化合物，该络合剂以在10至10,000ppm范围内的浓度存在于该组合物中；

其中基于该粒状研磨剂的ζ电位选择该表面活性材料，使得当该研磨剂具有正ζ电位时，该表面活性材料由阳离子型材料组成，及当该粒状研磨剂具有负ζ电位时，该表面活性材料由阴离子型材料、非离子型材料、或其组合组成，其中，当该粒状研磨剂为二氧化铈时，该组合物具有在4至5范围内的pH，当该粒状研磨剂为胶体二氧化硅时，该组合物具有在2至3范围内的pH。

2.权利要求1的CMP组合物，其中该组合物不含氧化剂。

3.权利要求1的CMP组合物，其中该膦酸包括1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸。

4.权利要求1的CMP组合物，其中该粒状研磨剂包括湿法二氧化铈。

5.权利要求1的CMP组合物，其中该粒状研磨剂包括具有正ζ电位的经氨基硅烷表面处理的胶体二氧化硅。

6.权利要求1的CMP组合物，其中该粒状研磨剂包括：二氧化铈；或者，具有正ζ电位的经氨基硅烷表面处理的胶体二氧化硅；且该水溶性表面活性材料由聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)组成。

7.权利要求1的CMP组合物，其中该粒状研磨剂包括具有负ζ电位的胶体二氧化硅，且该水溶性表面活性材料由聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、或其组合组成。

8.权利要求1的CMP组合物，其中该粒状研磨剂具有在10至200nm范围内的平均粒度。

9.权利要求1的CMP组合物，其中该粒状研磨剂以在0.01至10重量百分数(重量％)范围内的浓度存在于该组合物中。

10.权利要求1的CMP组合物，其中该水溶性表面活性材料以在10至10,000百万分率(ppm)范围内的浓度存在于该组合物中。

11.权利要求1的CMP组合物，其进一步包含硫酸钾。

12.一种用于抛光锗-锑-碲(GST)合金的含水化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含含水载体，该含水载体在使用点处含有：

(a)0.01至10重量％的粒状研磨剂，其选自胶体二氧化硅研磨剂及二氧化铈研磨剂；

(b)10至10,000ppm的水溶性表面活性材料；

(c)0.1至2重量％的氨基酸腐蚀抑制剂；及

(d)10至10,000ppm的络合剂；

其中基于该粒状研磨剂的ζ电位选择该表面活性材料，使得当该研磨剂具有正ζ电位时，该表面活性材料由阳离子型材料组成，及当该粒状研磨剂具有负ζ电位时，该表面活性材料由阴离子型材料、非离子型材料、或其组合组成。

13.权利要求12的CMP组合物，其中该粒状研磨剂包括二氧化铈或经氨基硅烷表面处理的胶体二氧化硅，且具有正ζ电位，且该水溶性表面活性材料由聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)组成。

14.权利要求12的CMP组合物，其中该粒状研磨剂包括具有负ζ电位的胶体二氧化硅，且该水溶性表面活性材料由聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、或其组合组成。

15.权利要求14的CMP组合物，其进一步包含硫酸钾。

16.权利要求12的CMP组合物，其中该络合剂包括1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸。

17.权利要求12的CMP组合物，其中该腐蚀抑制剂包括赖氨酸。

18.一种用于抛光含有锗-锑-碲(GST)合金的基板的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使该基板的表面与抛光垫及权利要求1的含水CMP组合物接触；及

(b)在保持该CMP组合物的一部分与该抛光垫和该基板之间的表面接触的同时使该垫和该基板之间相对运动一段足以从该基板磨除该锗-锑-碲合金的至少一部分的时间。