[发明专利]使用包含掺杂阳离子的微孔阴离子无机构架结构用于制造薄层太阳能电池

权利要求书

1.在尤其基于玻璃衬底层的薄层太阳能电池或薄层太阳能模块中使用微孔阴离子无机构架结构、尤其是构架硅酸盐或构架锗酸盐以用于吸收来自所述薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的杂质的应用。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，微孔阴离子无机构架结构、尤其是构架硅酸盐或构架锗酸盐位于薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的至少一个背电极层、至少一个接触层和/或至少一个半导体吸收层中。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，薄层太阳能电池或薄层太阳能模块、尤其是薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的至少一个半导体吸收层具有单价掺杂阳离子、尤其是碱离子。

4.在微孔中使用含有单价掺杂阳离子、尤其是碱离子的微孔阴离子无机构架结构、尤其是构架硅酸盐或构架锗酸盐以用于制造尤其基于玻璃衬底层的薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的配备有掺杂所述单价掺杂阳离子的半导体吸收层的应用。

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，通过逸出到薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的至少一个背电极层、至少一个接触层和/或至少一个半导体吸收层中而摆脱单价掺杂阳离子、尤其是碱离子的微孔阴离子无机构架结构、尤其是构架硅酸盐或架构锗酸盐，位于薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的至少一个背电极层、至少一个接触层和/或至少一个半导体吸收层中。

6.在微孔中使用含有单价掺杂阳离子、尤其是碱离子的微孔阴离子无机构架结构、尤其是构架硅酸盐或构架锗酸盐以用于向薄层太阳能电池或薄层太阳能模块的半导体吸收层掺杂所述单价掺杂阳离子的应用。

7.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，微孔阴离子无机构架结构、尤其是构架硅酸盐包含四面体结构单元或由其构成。

8.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，构架结构、尤其是构架硅酸盐是非吸湿性的。

9.根据权利要求4至8之一所述的应用，其特征在于，构架结构、尤其是构架硅酸盐或构架锗酸盐的微孔具有孔开口直径，所述孔开口直径使得能够通过吸收层的金属的金属离子，例如Cu⁺、Ga³⁺和/或In³⁺，交换微孔中的单价掺杂阳离子、尤其是碱离子。

10.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，所述构架硅酸盐是铝构架硅酸盐、钛铝构架硅酸盐、硼构架硅酸盐、镓构架硅酸盐、铟构架硅酸盐或铁(III)构架硅酸盐。

11.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，构架结构、尤其是构架硅酸盐包含β笼、尤其是冷凝的β笼，或由其构成。

12.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，微孔中的构架结构、尤其是构架硅酸盐具有钠离子、钾离子、锂离子、铷和/或铯离子，尤其是钠离子。

13.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，构架结构、尤其是构架硅酸盐具有孔开口直径小于约0.29nm的微孔。

14.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，构架结构、尤其是构架硅酸盐具有方钠石构架拓扑结构。

15.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，在构架硅酸盐中直至50％的四价硅四面体结构单元由具有三价中心原子的四面体结构单元、尤其是铝替代。

16.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，构架结构是Strunz分类09.F或09.G的构架硅酸盐或构架锗酸盐，尤其是不含具有其它阴离子的沸石水的构架硅酸盐。

17.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，构架硅酸盐是沸石。

18.根据前述权利要求之一所述的应用，其特征在于，半导体吸收层是硫铜锡锌矿半导体吸收层或黄铜矿半导体吸收层。

19.光伏薄层太阳能电池，尤其在至少一个背电极层、至少一个接触层和/或至少一个半导体吸收层中包含微孔阴离子无机构架结构，尤其是构架硅酸盐或构架锗酸盐。