[发明专利]降低或者消除Ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷

权利要求书

1.一种器件，包括：

布置在n型区与p型区之间的Ⅲ-氮化物发光层；以及

掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层，所述受主具有随III-氮化物层生长而以线性方式增加的浓度，掺杂有受主的III-氮化物层定位成使得n型区布置在掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层与发光层之间，并且受主的浓度在更靠近发光层的掺杂有受主的III-氮化物层的部分中比在更远离发光层的掺杂有受主的III-氮化物层的部分中更高。

2.权利要求1的器件，还包括包括纳米管缺陷的层，其中掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层布置在包括纳米管缺陷的层与发光层之间，其中纳米管缺陷在掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层中终止。

3.权利要求1的器件，其中掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层与n型区共同电气连接。

4.权利要求1的器件，其中掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层是第一镁掺杂层，器件还包括布置在第一镁掺杂层与发光层之间的第二镁掺杂层。

5.权利要求4的器件，其中第一镁掺杂层被掺杂到比第二镁掺杂层更低的镁浓度。

6.权利要求1的器件，还包括布置在掺杂有受主的Ⅲ-氮化物层与Ⅲ-氮化物发光层之间的包括铝的层。

7.一种器件，包括：

布置在n型区与p型区之间的Ⅲ-氮化物发光层；

Ⅲ-氮化物层，所述III-氮化物层包括合并到光滑膜中的GaN岛和布置在两个GaN岛之间的边界处的纳米管缺陷；以及

布置在Ⅲ-氮化物发光层与包括纳米管缺陷的Ⅲ-氮化物层之间的纳米管终止层，所述纳米管终止层包括超晶格，其中纳米管在纳米管终止层中终止。

8.权利要求7的器件，其中纳米管终止层包括铝。

9.权利要求8的器件，其中纳米管终止层包含镁。

10.权利要求7的器件，其中超晶格包括多个交替的第一和第二层。

11.权利要求10的器件，其中第一层是GaN，并且第二层是Al_xGa_1-xN，其中0＜x≤1。

12.权利要求10的器件，其中第一层是Al_bGa_1-bN，并且第二层是Al_cGa_1-cN，其中b≠c。

13.权利要求7的器件，其中Ⅲ-氮化物发光层与纳米管终止层间隔至少1微米。

14.权利要求7的器件，其中纳米管终止层与n型层共同电气连接。

15.权利要求7的器件，其中纳米管终止层包括静电放电保护电路的部分。