[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池

权利要求书

1.一种钝化层形成用组合物，其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物，

通式(I)中，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基，R²、R³及R⁴分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

2.根据权利要求1所述的钝化层形成用组合物，其还包含烷醇铌。

3.根据权利要求2所述的钝化层形成用组合物，其中，所述烷醇铌为选自乙醇铌、异丙醇铌、正丙醇铌、正丁醇铌及苯酚铌中的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述烷醇盐化合物至少包含所述烷醇钛，所述烷醇钛为选自甲醇钛、乙醇钛、异丙醇钛、正丙醇钛、正丁醇钛、叔丁醇钛、异丁醇钛、二异丙氧基双乙酰丙酮钛及四(2-乙基-1-己醇)钛中的至少一种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述烷醇盐化合物至少包含所述烷醇锆，所述烷醇锆为选自乙醇锆、异丙醇锆、正丙醇锆、正丁醇锆、叔丁醇锆、乙酰丙酮锆、三氟乙酰丙酮锆及六氟乙酰丙酮锆中的至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述烷醇盐化合物至少包含所述烷醇硅，所述烷醇硅为下述通式(II)所示的烷醇硅，

(R⁵O)_(4-m)SiR⁶_m   (II)

通式(II)中，R⁵及R⁶分别独立地表示碳数1～8的烷基，m表示0～3的整数。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的钝化层形成用组合物，其还包含树脂。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的钝化层形成用组合物，其还包含下述通式(III)所示的化合物

9.一种带钝化层的半导体基板，其具有半导体基板和设置于所述半导体基板上的整面或一部分的钝化层，所述钝化层为权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物。

10.一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其包括：

对半导体基板上的整面或一部分赋予权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；和

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序。

11.一种太阳能电池元件，其具有：

将p型层及n型层进行pn接合而成的半导体基板；

设置于所述半导体基板上的整面或一部分的钝化层，所述钝化层为权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物；和

配置于所述半导体基板的选自所述p型层及n型层中的1个以上的层上的电极。

12.一种太阳能电池元件的制造方法，其包括：

对具有将p型层及n型层接合而成的pn结且在选自所述p型层及所述n型层中的1个以上的层上具有电极的半导体基板的、具有所述电极的面的至少一部分，赋予权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；和

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序。

13.一种太阳能电池，其具有权利要求11所述的太阳能电池元件和配置于所述太阳能电池元件的电极上的布线材料。