[发明专利]反熔丝有效
| 申请号： | 201380036999.9 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104508818B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | F·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L23/525;H01L27/12;G11C17/16;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 编程晶体管 选择晶体管 半导体层 半导体结构 反熔丝单元 反熔丝 | ||
1.一种半导体结构(1000-4000)，该半导体结构(1000-4000)包括：
第一半导体层(1140，1140B)；以及
第一编程晶体管(5200，1200B)和第一选择晶体管(1300)，所述第一编程晶体管(5200，1200B)和第一选择晶体管(1300)实现第一反熔丝单元(1000A，1000B)，其中所述第一半导体层作为所述第一编程晶体管的主体(1301)并作为所述第一选择晶体管的的主体(1301)；
其特征在于
所述第一编程晶体管的栅极(5210，1210B)和所述第一选择晶体管的栅极(1160，1161)在所述第一半导体层的不同面上，并且
所述第一选择晶体管的栅极(1160，1161)的覆盖面积大于所述第一编程晶体管的栅极(5210，1210B)的覆盖面积以与所述第一编程晶体管的栅极(5210，1210B)交叠。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，
所述半导体结构是多栅极半导体结构，并且
所述第一编程晶体管的栅极和所述第一选择晶体管的栅极分别是所述多栅极半导体结构的一个背部栅极和一个顶部栅极，或分别是所述多栅极半导体结构的一个顶部栅极和一个背部栅极。
3.根据任一前述权利要求所述的半导体结构，所述半导体结构进一步包括：
与所述第一选择晶体管结合实现第二反熔丝单元的至少一个第二编程晶体管(5202)，其中
所述第一编程晶体管(5201)与所述至少一个第二编程晶体管并联连接。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，所述半导体结构进一步包括：
与所述第一选择晶体管结合实现第三反熔丝单元的至少一个第三编程晶体管(5204)，其中
所述第一编程晶体管(5201)与所述至少一个第三编程晶体管串联连接。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，
所述第一编程晶体管、所述至少一个第二编程晶体管和所述至少一个第三编程晶体管中的任一编程晶体管的栅极和栅极氧化物被成形为使得所述栅极的电场集中在所述栅极氧化物的点或线上。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，
所述第一半导体层包括刻蚀区域，
所述栅极氧化物置于所述第一半导体层上并至少在所述刻蚀区域的壁的一部分(R1)上，并且
所述栅极置于所述栅极氧化物上，以便实现与所述刻蚀区域对应的角度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
