[发明专利]用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法

权利要求书

1.化学机械抛光(CMP)组合物用于从基材的表面优先于多晶硅的移除而选择性地移除氮化硅的的用途，包括以下步骤：

(a)将含有氮化硅及多晶硅的基材的表面与抛光垫及酸性含水CMP组合物接触；以及

(b)在保持该CMP组合物的一部分与该抛光垫和该基材之间的表面接触的同时使该抛光垫和该基材之间相对运动一段足以从该表面磨除氮化硅的时间；

其中该CMP组合物包含：

(i)0.01至2重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂；

(ii)10至1000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物；

(iii)10至1000ppm的至少一种阳离子型聚合物；

(iv)200至2000ppm的聚氧化烯聚合物，其中该聚氧化烯聚合物包含聚(乙二醇)-共-聚(丙二醇)嵌段共聚物和聚(乙二醇)；以及

(v)为此的含水载体，

其中，该组合物的pH值为2.3至4。

2.权利要求1的用途，其中该聚氧化烯聚合物包含含有300至1500的乙二醇单体单元平均数的聚(乙二醇)聚合物。

3.权利要求1的用途，其中该阳离子型聚合物包含经季铵取代的聚合物。

4.权利要求1的用途，其中该阳离子型聚合物包含聚(乙烯基吡啶)聚合物、经季铵取代的丙烯酸酯聚合物、经季铵取代的甲基丙烯酸酯聚合物、或任意前述阳离子型聚合物的组合。

5.权利要求1的用途，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物包含吡啶化合物。

6.权利要求1的用途，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物包含吡啶化合物。

7.权利要求1的用途，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物包含4,4’-三亚甲基二吡啶。

8.权利要求1的用途，其中该二氧化铈研磨剂包含经煅烧的二氧化铈。

9.权利要求1的用途，其中该基材的表面还包含二氧化硅。