[发明专利]含羧基有机硅的组合物及制备该组合物的工艺

权利要求书

1.一种有机硅组合物，其包含：

(A)基于有机硅的消泡剂；

(B)羧基官能化有机硅，以及任选地以下至少一者：

(C)选自有机硅聚醚乳化剂、有机乳化剂或其混合物的乳化剂，和

(D)选自二醇、水或其混合物的羟基化合物。

2.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其中所述基于有机硅的消泡

剂(A)包含以下部分的混合物

(a)100重量份的聚硅氧烷流体，其中所述聚硅氧烷流体为直链聚硅氧烷流体、支链聚硅氧烷流体或其混合物，和

(b)1至15重量份的分散在聚二有机硅氧烷流体中的疏水填料。

3.根据权利要求2所述的有机硅组合物，其中所述聚硅氧烷流体(A)(a)是具有下式的直链聚二有机硅氧烷

其中R¹独立地为具有1至36个碳原子的烷基基团、具有2至6个碳原子的烯基基团、芳基基团、具有最多36个碳原子的芳烷基基团、羟基基团或烷氧基基团，其中所述烷氧基基团的烷基基团具有1至36个碳原子并且下标a为1至最多2000的整数。

4.根据权利要求3所述的有机硅组合物，其中R1为甲基。

5.根据权利要求2所述的有机硅组合物，其中所述聚硅氧烷流体(A)(a)是下式的支链聚二有机硅氧烷

其中R²独立地为具有1至36个碳原子的烷基基团、具有2至6个碳原子的烯基基团、芳基基团、具有最多36个碳原子的芳烷基基团、羟基基团或烷氧基基团，其中所述烷氧基基团的烷基基团具有1至36个碳原子，下标b为1至最多1000的整数，下标c为大于零至最多30的整数，下标d为1至最多1000的整数，下标e为1至最多1000的整数，下标f大于零至最多30，下标g为1至最多1000的整数，A为选自以下的基团

其中R³独立地为具有1至36个碳原子的烷基基团、或芳基基团、或具有最多36个碳原子的芳烷基基团，下标h为2至最多10的整数，下标i为1至最多2000的整数，下标j为2至最多10的整数。

6.根据权利要求5所述的有机硅组合物，其中R2和R3为甲基。

7.根据权利要求2所述的有机硅组合物，其中所述支链聚硅氧烷流体是包含化合物a)至d)的至少一者的树脂：

(a)通式R14αSiX4-α的有机硅化合物，其中R14为具有1至5个碳原子的一价烃基，X为选自–OR15或–OR16OR17的可水解基团，其中R16为具有1至5个碳原子的二价烃基并且R15或R17各自为氢或具有1至5个碳原子的一价烃基，下标α的平均值不超过1；

(b)化合物a)的部分水解缩合物；

(c)基本上由(CH3)3SiO1/2和SiO2单元组成并具有0.4/1至1.2/1的(CH3)3SiO1/2/SiO2比的硅氧烷树脂；

(d)硅氧烷树脂c)与化合物a)或b)的缩合物。

8.根据权利要求3所述的有机硅组合物，其中所述直链聚硅氧烷流体是包含至少10％的下式的二有机硅氧烷单元

和最多90％的下式的二有机硅氧烷单元

的聚硅氧烷，其中X表示通过碳原子与硅键合的二价脂族有机基团；Ph表示芳族基团；Y表示具有1至4个碳原子的烷基基团；并且Y¹表示具有1至24个碳原子的脂族烃基。

9.根据权利要求3所述的有机硅组合物，其中所述直链聚硅氧烷流体是包含50至100％的下式的二有机硅氧烷单元

和任选最多50％的下式的二有机硅氧烷单元

的聚硅氧烷，其中Y表示具有1至4个碳原子的烷基基团，并且Z表示具有6至18个碳原子的烷基基团。

10.根据前述权利要求中任一项所述的有机硅组合物，其中所述基于有机硅的消泡剂还包含以下至少一者

(c)10至125重量份的具有至少一个末端羟基基团和至少40个硅原子的聚二有机硅氧烷，和

(d)0.5至10重量份的有机硅树脂。