[发明专利]半导体处理系统中的高采样率传感器缓冲有效
申请号: | 201380037597.0 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN104488073B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 西蒙·亚沃伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 系统 中的 采样率 传感器 缓冲 | ||
1.一种半导体处理系统,所述系统包含:
多个传感器,所述多个传感器测量所述半导体处理系统的物理条件;
缓冲器,所述缓冲器与所述多个传感器的至少一分组电气地耦接以在第一采样率储存传感器数据;
长期储存装置,所述长期储存装置与所述缓冲器电气地耦接以储存在所述缓冲器处储存的数据,且其中所述长期储存装置具有比所述缓冲器的所述第一采样率更小的第二采样率;以及
控制器,所述控制器电气地耦接至所述缓冲器和所述长期储存装置,其中所述控制器经配置使在所述缓冲器处储存的所述传感器数据以比所述第一采样率更小的所述第二采样率储存至所述长期储存装置中;以及所述控制器经配置以响应于故障事件自动地将储存于所述长期储存装置内的数据输出至用户。
2.如权利要求1所述的半导体处理系统,其中所述多个传感器中至少两个传感器测量所述半导体处理系统的不同物理条件。
3.如权利要求1所述的半导体处理系统,进一步包含模拟数字转换器,所述模拟数字转换器耦接于所述多个传感器中至少一个传感器与所述缓冲器之间以数字化模拟传感器数据。
4.如权利要求1所述的半导体处理系统,其中所述缓冲器包含多个缓冲器。
5.如权利要求1所述的半导体处理系统,其中所述缓冲器包含RAM。
6.如权利要求1所述的半导体处理系统,其中所述缓冲器以大于每微秒1位的速率储存所述传感器数据。
7.如权利要求1所述的半导体处理系统,其中所述缓冲器以大于每微秒100位的速率储存所述传感器数据。
8.如权利要求1所述的半导体处理系统,其中所述控制器经进一步配置以当在所述缓冲器处的所述传感器数据储存至所述长期储存装置中时,格式化所述传感器数据。
9.一种用于在半导体处理系统中感测环境条件的方法,所述方法包含以下步骤:
在缓冲器内以第一采样率储存传感器数据;
接收故障事件;以及
响应于接收所述故障事件:
将储存于所述缓冲器内的所述传感器数据以比所述第一采样率更小的第二采样率储存入硬盘驱动器;以及
自动地将储存于所述硬盘驱动器内的数据输出至用户。
10.如权利要求9所述的方法,进一步包含以下步骤:从至少两个传感器接收传感器数据,这些传感器测量所述半导体处理系统的不同物理条件。
11.如权利要求9所述的方法,进一步包含用耦接于多个传感器中至少一个传感器与所述缓冲器之间的模拟数字转换器数字化模拟传感器数据。
12.如权利要求9所述的方法,其中所述缓冲器包含多个缓冲器。
13.如权利要求9所述的方法,其中所述缓冲器包含RAM。
14.如权利要求9所述的方法,其中传感器数据是以大于每微秒1位的采样率储存在所述缓冲器内。
15.如权利要求9所述的方法,其中所述传感器数据是以大于每微秒100位的采样率储存在所述缓冲器内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造