[发明专利]用作有机电子基体材料的p-掺杂剂的金属络合物

权利要求书

1.具有基体的有机电子元件，其中所述基体具有作为p-掺杂剂的双-或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5-7族金属络合物，其包含至少一种结构如下的配体L：

其中R¹和R²各自独立为氧、硫、硒、NH或NR⁴，其中R⁴选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R³；以及

R³选自包括以下的组：

其中Y¹-Y⁵各自独立地选自包括C-F、C-CF₃、C-NO₂、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组，或者

选自包括以下的组：

其中Y¹-Y⁷各自独立地选自包含C-F、C-CF₃、C-NO₂、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组，或者

选自包括以下的组：

其中Y¹-Y⁷各自独立地选自包括C-F、C-CF₃、C-NO₂、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组。

2.如权利要求1所述的元件，其特征在于所述金属选自包括铬、钼、钨及其混合物的组。

3.如权利要求1或2所述的元件，其特征在于R³选自包括卤代烷基，卤代芳基，卤代烷基芳基和卤代杂芳基的组。

4.如权利要求1或2所述的元件，其特征在于所述金属络合物包含至少一种配体L，其选自包括未被取代的、部分氟化的和全氟化的有机羧酸的组。

5.如权利要求1或2所述的元件，其特征在于所述金属络合物包含至少一种配体L，其选自包括未被取代的、部分氟化的和全氟化的乙酸的组。

6.如权利要求1或2所述的元件，其特征在于所述金属络合物具有桨轮结构并且可以包含铬或钼，其中R¹和R²由氧组成。

7.一种双-或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5-7族金属络合物作为电子元件的基体材料中的p-掺杂剂的用途，其包含至少一种如下结构的配体L：

其中R¹和R²各自独立为氧、硫、硒、NH或NR⁴，其中R⁴选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R³；以及

R³选自包括以下的组：

其中Y¹-Y⁵各自独立地选自包括C-F、C-CF₃、C-NO₂、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组，或者

选自包括以下的组：

其中Y¹-Y⁷各自独立地选自包含C-F、C-CF₃、C-NO₂、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组，或者

选自包括以下的组：

其中Y¹-Y⁷各自独立地选自包括C-F、C-CF₃、C-NO₂、C-CN、C-卤素、C-拟卤素和N的组。