[发明专利]有机光电子器件和透明的无机半导体在载流子对生成层序列中的应用有效

专利信息
申请号: 201380037907.9 申请日: 2013-05-06
公开(公告)号: CN104508851B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 卡罗拉·迭斯;蒂洛·罗伊施 申请(专利权)人: 欧司朗OLED股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 丁永凡,张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 光电子 器件 透明 无机 半导体 载流子 生成 序列 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种有机光电子器件(300,400,500),

具有一个或多个有源层,和

具有层结构(100,402)以用于产生并且分离第一载流子类型的载流子和第二载流子类型的载流子,

其中所述层结构(100,402)具有p型区域和n型区域,所述p型区域具有空穴导电的透明的无机半导体,所述n型区域具有电子导电的透明的无机半导体,

其中所述空穴导电的透明的无机半导体和所述电子导电的透明的无机半导体在如下电磁辐射的波长谱范围中具有大于50%的透射系数,在所述电磁辐射的波长谱范围中,光电子器件的一个或多个有源层在功能上是活跃的。

2.根据权利要求1所述的有机光电子器件(300,400,500),

其中所述层结构(100,402)是载流子对生成层序列。

3.根据权利要求1所述的有机光电子器件(300,400,500),其中在所述n型区域(102)和所述p型区域(104)之间设置有中间层(110)。

4.根据权利要求1所述的有机光电子器件(300,400,500),其中所述n型区域(102)具有下述材料中的至少一种:MoO3、WO3、ReO3、AlInO2、InSnO2或这些化合物的化学计量的变型形式。

5.根据权利要求1所述的有机光电子器件(300,400,500),其中所述p型区域(104)具有下述材料中的至少一种:BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、NiO、CuAlO2、CuGaO2、CuInO2、Cu2O、ZnCo2O4、ZnRh2O4、ZnIr2O4、SrCu2O2、LaCuOS、LaCuOSe、LaCuOTe或这些化合物的化学计量的变型形式。

6.根据权利要求1所述的有机光电子器件(300,400,500),一个或多个所述有源层(310,312,404)是有机有源层。

7.根据权利要求1所述的光电子器件(300,400,500),其中所述有源层中的一个有源层具有电致发光材料。

8.根据权利要求1所述的光电子器件(300,400,500),其中所述层结构(100,402)设置在第一有源层(310)和第二有源层(312)之间。

9.一种用于通过形成层结构产生并且分离第一载流子类型的载流子和第二载流子类型的载流子的方法,所述层结构具有p型区域和n型区域,所述p型区域具有空穴导电的透明的无机半导体,所述n型区域具有电子导电的透明的无机半导体,

其中所述空穴导电的透明的无机半导体和所述电子导电的透明的无机半导体在如下电磁辐射的波长谱范围中具有大于50%的透射系数,在所述电磁辐射的波长谱范围中,光电子器件的一个或多个有源层在功能上是活跃的。

10.一种用于制造有机发光设备的方法,所述方法包括:

形成层结构,所述层结构具有载流子对生成层,所述载流子对生成层p型区域和n型区域,所述p型区域具有空穴导电的透明的无机半导体,所述n型区域具有电子导电的透明的无机半导体,

其中所述空穴导电的透明的无机半导体和所述电子导电的透明的无机半导体在如下电磁辐射的波长谱范围中具有大于50%的透射系数,在所述电磁辐射的波长谱范围中,光电子器件的一个或多个有源层在功能上是活跃的。

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