[发明专利]防尘薄膜用支承框的制造方法、防尘薄膜用支承框及防尘薄膜

说明书

本发明提供可通过阳极氧化处理形成充分黑色化的阳极氧化被膜，能在工业上低成本且简便地获得防尘薄膜用支承框的方法、通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及防尘薄膜。防尘薄膜用支承框的制造方法以及通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及具备光学薄膜体的防尘薄膜，所述方法是具备光学薄膜体用作防尘薄膜的防尘薄膜用支承框的制造方法，其特征在于，对由Al‑Zn‑Mg系铝合金形成的铝材进行退火后，在碱性浴中进行阳极氧化处理，形成明度指数L^*值在40以下的阳极氧化被膜。

技术领域

本发明涉及防尘薄膜(pellicle)用支承框的制造方法、防尘薄膜用支承框及防尘薄膜，具体涉及即使不进行使用二次电解或有机染料的着色处理也可通过阳极氧化处理充分实现黑色化的防尘薄膜用支承框的制造方法以及通过该方法得到的防尘薄膜用支承框及防尘薄膜。

背景技术

LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示装置(LCD)等所使用的薄膜晶体管(TFT)或滤色片(CF)等的制造中，包括使用曝光装置的光刻工序，该工序中通常采用被称为防尘薄膜的防尘手段。

防尘薄膜一般是在具有与光刻掩模或光罩对应的形状的厚数毫米左右的由铝材形成的支承框的一面铺展厚10μm左右的硝基纤维素、纤维素衍生物、氟聚合物等的透明高分子膜(光学薄膜体)并粘接而得的结构，防止异物直接附着于光刻掩模或光罩上。此外，即使防尘薄膜上附着了异物，例如在涂布了光刻抗蚀剂的晶片上这些异物不会成像，因此可防止因异物的像导致曝光图案的短路或断路等，使光刻工序的制造成品率提高。

对于该防尘薄膜用支承框，为了防止来自光源的光的放射而获得鲜明的图案转印像或让使用前的异物附着检查等变得容易等目的，通常在对铝材进行阳极氧化处理后进行黑色化，已知例如使有机染料等渗透于阳极氧化被膜的孔中使其变为黑色的方法(参考例如专利文献1)，以及使Ni、Co等电解析出于阳极氧化被膜的孔中来进行黑色化的方法(参考例如专利文献2)等。

然而，近年来伴随半导体装置等的高集成化，开始要求以更窄的线宽进行微细电路图案的描绘，对于光刻工序中所使用的曝光光，主要是KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)、F₂准分子激光(波长157nm)等短波长光。短波长的曝光光源的输出功率高，光的能量高，如果这样的高能量的光照射于支承框，如上所述用有机染料将阳极氧化被膜黑色化时，该有机染料可能会发生化学变化而引发色调变化或褪色。

此外，试图通过电解析出处理进行黑色化的情况下，一般重要的是pH和浴温等的浴管理，而且电解析出处理的设备费用高，并基于需要废液处理设备等理由，希望有采用更简易的工序的防尘薄膜用支承框的制造方法。另外，防尘薄膜用支承框铺展有光学薄膜体，有以高精度保持其状态等要求，所以通常使用JIS标准的A7075铝合金，但对像JIS A7075这样的Al-Zn-Mg系铝合金进行阳极氧化处理后，即使进行如上述专利文献2所记载的电解析出处理，也存在可能会无法实现充分的黑色化的问题。

另一方面，使用硫酸浴进行了阳极氧化处理的情况下，因其在铝材表面的阳极氧化被膜残存硫酸或磷酸等无机酸，它们与存在于曝光气氛中的氨等碱性物质反应而生成硫酸铵等反应生成物，还存在该反应生成物(雾)使防尘薄膜模糊而对图案转印像造成影响的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2010-237282号公报

专利文献2:日本专利第3361429号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题