[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种钝化层形成用组合物，其含有下述通式(I)所表示的化合物和树脂，

M(OR¹)_m   (I)

式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素；R¹分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基；m表示1～5的整数。

2.根据权利要求1所述的钝化层形成用组合物，其还含有下述通式(II)所表示的化合物，

式中，R²分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基；n表示0～3的整数；X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基；R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～8的烷基。

3.根据权利要求1或2所述的钝化层形成用组合物，其中，所述树脂的含有率为0.1质量％～50质量％。

4.根据权利要求2或3所述的钝化层形成用组合物，其中，所述通式(II)中，R²分别独立地为碳原子数为1～4的烷基。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述通式(II)中，n为1～3的整数，R⁵分别独立地为氢原子或碳原子数为1～4的烷基。

6.一种带钝化层的半导体基板，其具有：

半导体基板、和

设置于所述半导体基板上的整面或一部分上的权利要求1～5中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物即钝化层。

7.一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有以下工序：

在半导体基板上的整面或一部分上赋予权利要求1～5中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；和

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序。

8.一种太阳能电池元件，其具有：

p型层及n型层进行pn接合而成的半导体基板、

设置于所述半导体基板上的整面或一部分上的权利要求1～5中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物即钝化层、和

配置于选自由所述p型层及所述n型层组成的组中的1个以上的层上的电极。

9.一种太阳能电池元件的制造方法，其具有以下工序：

在具有p型层及n型层接合而成的pn结、且在选自由所述p型层及所述n型层组成的组中的1个以上的层上具有电极的半导体基板的、具有所述电极的面的一个或两个面上，赋予权利要求1～5中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；和

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序。

10.一种太阳能电池，其具有：

权利要求8所述的太阳能电池元件、和

配置于所述太阳能电池元件的电极上的布线材料。