[发明专利]太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块

权利要求书

1.一种太阳能电池元件，其具有：

具有受光面及与所述受光面相反侧的背面的半导体基板；

配置于所述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；

配置于所述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；

配置于所述第1杂质扩散区域的至少一部分的受光面电极；

配置于所述背面上的背面电极；和

配置于所述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃及HfO₂中的1种以上化合物的钝化层，

所述钝化层为钝化层形成用组合物的热处理物，

所述钝化层形成用组合物包含选自Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃、HfO₂及下述通式(I)所示的化合物中的1种以上，且至少包含下述通式(I)所示的化合物，

M(OR¹)_m(I)

式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层还含有Al₂O₃。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层的密度为1.0g/cm³～10.0g/cm³。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层的平均厚度为5nm～50μm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物还包含选自Al₂O₃及下述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物，

式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基，R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，所述通式(II)中的R²分别独立地为碳数1～4的烷基。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，所述通式(II)中的n为1～3的整数、R⁵分别独立地为氢原子或者碳数4或5的烷基。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物包含选自Al₂O₃及所述通式(II)所示的化合物中的1种以上的铝化合物，所述钝化层形成用组合物中的所述铝化合物的总含有率为0.1质量％～80质量％。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物包含选自Nb₂O₅及所述通式(I)中的M为Nb的化合物中的1种以上的铌化合物，所述钝化层形成用组合物中的所述铌化合物的总含有率以Nb₂O₅换算为0.1质量％～99.9质量％。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层形成用组合物包含液状介质。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池元件，其中，所述液状介质包含选自疏水性有机溶剂、非质子性有机溶剂、萜溶剂、酯溶剂、醚溶剂及醇溶剂中的至少一种。