[发明专利]用于输送工艺气体至基板的方法和设备

说明书

本文中提供用于输送工艺气体至基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的设备可以包括位于处理腔室的处理空间中、基板支座上方的气体分配管道，当该基板位于该基板支座上时，该气体分配管道分配工艺气体至该基板的处理表面；和耦接至该气体分配管道的致动器，以相对于该基板支座移动该气体分配管道。在一些实施方式中，一种处理基板的方法可以包括通过气体分配管道引导工艺气体至处理腔室，该气体分配管道位于基板上方，该基板具有处理表面；和在该处理腔室内相对于该基板移动该气体分配管道，以将该工艺气体分配至该基板的整个处理表面。

领域

本发明的实施方式一般涉及用于输送工艺气体至基板的方法和设备。

背景

由于互补金属氧化物半导体(CMOS)元件的临界尺寸持续缩小，需要将新颖的材料纳入CMOS架构中，以例如改良能量效率和/或速度。可被用于例如晶体管元件的沟道中的这种材料的示例性但非限制性族群为III-V族材料。不幸的是，目前的处理设备和方法无法产出具有适当材料品质的膜，该材料品质例如低缺陷密度、组成控制、高纯度、形态、晶片内均匀度以及运行再现性。

因此，本发明涉及提供用于输送工艺气体至基板的改良方法和设备。

概述

本文中提供用于输送工艺气体至基板的方法及设备。在本发明的一些实施方式中，一种用于处理基板的设备可以包括位于处理腔室和处理空间中、基板支座上方的气体分配管道，当该基板位于该基板支座上时，该气体分配管道分配工艺气体至该基板的处理表面；和耦接至该气体分配管道的致动器，以相对于该基板支座移动该气体分配管道。

在本发明的一些实施方式中，一种用于处理基板的设备可以包括具有基板支座的处理腔室；当基板位于该基板支座上时，提供热能至该基板的加热系统；位于该基板支座的第一侧的气体入口，当基板位于该基板支座上时，该气体入口提供第一工艺气体至该基板的整个处理表面；位于该处理腔室的处理空间中、在该基板上方的气体分配管道，当该基板位于该基板支座上时，该气体分配管道分配第二工艺气体至该基板的处理表面；耦接至该气体分配管道的致动器，以相对于该基板支座移动该气体分配管道；和排气歧管，位于该基板支座相对于该气体入口的第二侧，以从该处理腔室排出该工艺气体。

在本发明的一些实施方式中，一种处理基板的方法可以包括通过气体分配管道引导工艺气体至处理腔室，该气体分配管道位于基板上方，该基板具有处理表面；和在该处理腔室内相对于该基板移动该气体分配管道，以将该工艺气体分配至该基板的整个处理表面。

以下描述本发明的其他的和进一步的实施方式。

附图简要说明

可通过参照附图中绘示的本发明的说明性实施方式来了解以上简单概述的和以下更加详细讨论的本发明的实施方式。然而应注意的是，附图说明的只是本发明的典型实施方式，因而不应将附图视为是对本发明范围作限制，因本发明可认可其他同等有效的实施方式。

图1绘示依据本发明的一些实施方式的处理腔室的示意性侧视图。

图2A-图2B绘示依据本发明的一些实施方式的一部分处理腔室的示意性侧视图。

图3绘示依据本发明的一些实施方式的处理腔室的部分示意性顶视图。

图4绘示依据本发明的一些实施方式用于在基板上沉积层的方法的流程图。

为了便于了解，已经在可能之处使用相同的标号来表示附图共有的相同元件。图式并未依比例绘制，并且可以为了清晰而简化附图。构思的是，可以受益地将一个实施方式的元件和特征并入其他实施方式中而不需进一步描述。

具体描述