[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种钝化层形成用组合物，其包含下述通式(I)所示的化合物、填料、液状介质和树脂，

M(OR¹)_m  (I)

通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R¹分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

2.根据权利要求1所述的钝化层形成用组合物，其还包含下述通式(II)所示的化合物，

通式(II)中，R²分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X²及X³分别独立地表示氧原子或亚甲基，R³、R⁴及R⁵分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

3.根据权利要求1或2所述的钝化层形成用组合物，其中，所述填料包含选自二氧化硅、氢氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆及碳化硅中的至少1种粒子。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述填料的体积平均粒径为0.01μm～50μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述填料包含玻璃粒子。

6.根据权利要求5所述的钝化层形成用组合物，其中，所述玻璃粒子的玻璃软化点为300℃～1000℃。

7.根据权利要求2～6中任一项所述的钝化层形成用组合物，其中，所述通式(I)所示的化合物及所述通式(II)所示的化合物的总含有率为0.1质量％～80质量％，所述填料的含有率为0.1质量％～50质量％，所述液状介质及所述树脂的总含有率为5质量％～98质量％。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的钝化层形成用组合物，其用于在半导体基板上形成钝化层。

9.一种带钝化层的半导体基板，其具有半导体基板和设置于所述半导体基板上的整面或一部分的钝化层，所述钝化层为权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物。

10.一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其包括：

在半导体基板上的整面或一部分赋予权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；和

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序。

11.一种太阳能电池元件，其具有：

将p型层及n型层进行pn接合而成的半导体基板；

设置于所述半导体基板上的整面或一部分的钝化层，所述钝化层为权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物的热处理物；和

设置于所述p型层及n型层中的至少一方的层上的电极。

12.一种太阳能电池元件的制造方法，其包括：

对将p型层及n型层进行pn接合而成的半导体基板的整面或一部分，赋予权利要求1～8中任一项所述的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序；

对所述组合物层进行热处理而形成钝化层的工序；和

在所述p型层及所述n型层中的至少一方的层上形成电极的工序。

13.一种太阳能电池，其具有权利要求11所述的太阳能电池元件和配置于所述太阳能电池元件的电极上的布线材料。