[发明专利]减少应力的TSV和插入结构

权利要求书

1.一种具有减少应力的硅通孔(TSV)和插入结构的部件，所述部件包括：

衬底，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第一表面朝向所述第二表面延伸的开口，所述开口具有延伸远离所述第一表面的内壁，在所述内壁处露出介电材料；以及

导电过孔，在所述开口内延伸并在所述开口内与所述第一表面相邻地限定释放沟道，所述释放沟道在所述第一表面下方5微米以内且与所述第一表面平行的平面的方向上具有与所述内壁相距第一距离以内的边缘，所述第一距离小于1微米且小于所述平面中所述开口的最大宽度的5％，所述边缘沿着所述内壁延伸以跨越所述内壁的圆周的至少5％。

2.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底在所述衬底的平面中具有不大于20ppm/℃的有效CTE。

3.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底主要由半导体材料、陶瓷、玻璃或复合材料中的一种组成。

4.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底包括复合材料，所述复合材料在所述衬底的平面中具有可调整为与所述导电过孔的CTE相匹配的有效CTE。

5.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底具有与所述第一表面相邻的有源器件区域，以及其中所述平面位于所述有源器件区域下方。

6.根据权利要求5所述的部件，其中所述平面位于所述有源器件区域下方1微米处。

7.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底具有与所述第一表面相邻的有源器件区域，以及其中所述有源器件区域内的至少一些有源半导体器件在所述平面中与所述开口的距离在所述开口的最大宽度的三倍以内。

8.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底具有与所述第一表面相邻的有源器件区域，以及其中所述有源器件区域内的至少一些有源半导体器件在所述平面中与所述开口的距离在所述开口的最大宽度的两倍以内。

9.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底具有与所述第一表面相邻的有源器件区域，以及其中所述有源器件区域内的至少一些有源半导体器件在所述平面中与所述开口的距离在所述开口的最大宽度的一倍以内。

10.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底主要由介电材料组成。

11.根据权利要求10所述的部件，其中所述衬底主要由玻璃或陶瓷组成。

12.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底主要由半导体材料组成，以及其中所述介电材料是上覆所述开口内的所述半导体材料的介电层。

13.根据权利要求1所述的部件，其中在所述释放沟道内露出所述内壁的一部分。

14.根据权利要求1所述的部件，其中在释放平面中，所述释放沟道在径向上距离所述内壁的宽度小于5微米。

15.根据权利要求1所述的部件，其中在释放平面中，所述释放沟道在径向上距离所述内壁的宽度小于1微米。

16.根据权利要求1所述的部件，其中在释放平面中，所述释放沟道在径向上距离所述内壁的宽度小于0.2微米。

17.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底的所述第一表面下方的所述释放沟道的深度最多为所述开口的最大宽度的两倍。

18.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底的所述第一表面下方的所述释放沟道的深度最多等于所述开口的最大宽度。

19.根据权利要求1所述的部件，其中所述衬底的所述第一表面下方的所述释放沟道的深度最多为所述开口的最大宽度的一半。

20.根据权利要求1所述的部件，其中所述释放沟道为内释放沟道，所述衬底具有介电材料，以及在所述开口的所述内壁处露出所述介电材料的第一表面并且所述介电材料的第一表面限定所述开口的所述内壁，以及其中所述衬底具有与所述衬底的第一表面相邻以及与所述介电材料的第二表面相邻的外释放沟道，所述第二表面与所述第一表面相对。

21.根据权利要求20所述的部件，其中所述衬底的第一表面下方的所述外释放沟道的深度大于所述衬底的第一表面下方的所述内释放沟道的深度。

22.根据权利要求20所述的部件，还包括：设置在所述外释放沟道内的介电材料。