[发明专利]固态图像传感器、固态成像装置和相机装置

权利要求书

1.一种固态图像传感器，包括：

寄存器单元，构造为传输储存在光电转换单元中的电荷，并且形成为沿第一方向延伸的n型杂质区域；

读取单元，构造为将来自所述光电转换单元的电荷读入所述寄存器单元中，并且形成为沿与所述寄存器单元相同方向延伸的p型杂质区域；

水平元件隔离单元，构造为防止电荷从所述光电转换单元泄漏，并且形成为沿与所述寄存器单元相同方向延伸的p型杂质区域；以及

多个转移电极，构造为施加电压以改变所述寄存器单元的电位分布，其中，

所述转移电极当中具有预定低值的待机电压的低位电极之下形成该寄存器单元的n型杂质总量小于待机电压高于所述预定低值的中位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质总量。

2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述低位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质的宽度小于所述中位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质的宽度。

3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中所述低位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质的浓度小于所述中位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质的浓度。

4.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述低位电极之下的最高浓度位置比所述中位电极之下的最高浓度位置更加靠近所述光电转换单元，所述最高浓度位置是形成所述读取单元或所述水平元件隔离单元的p型杂质区域的杂质浓度最高的位置。

5.根据权利要求4所述的固态图像传感器，其中，仅对于p型杂质区域中的最高浓度位置，与所述中位电极之下的最高浓度位置相比，所述低位电极之下的最高浓度位置更加靠近所述光电转换单元，其中，所述p型杂质区域在最高浓度位置当中形成所述读取单元。

6.根据权利要求4所述的固态图像传感器，其中仅对于p型杂质区域中的最高浓度位置，与所述中位电极之下的最高浓度位置相比，所述低位电极之下的最高浓度位置更加靠近所述光电转换单元，其中，所述p型杂质区域在所述最高浓度位置当中形成所述水平元件隔离单元。

7.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，所述固态图像传感器在与所述低位电极对应位置的n型杂质浓度高于所述固态图像传感器在与所述中位电极对应位置的n型杂质浓度。

8.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中，所述固态图像传感器的表面在与所述低位电极对应位置的p型杂质浓度低于所述固态图像传感器的表面在与所述中位电极对应位置的p型杂质浓度。

9.一种固态成像装置，包括：

寄存器单元，构造为传输储存在光电转换单元中的电荷，并且形成为沿第一方向延伸的n型杂质区域；

读取单元，构造为将来自所述光电转换单元的电荷读入所述寄存器单元中，并且形成为沿与所述寄存器单元相同的方向延伸的p型杂质区域；

水平元件隔离单元，构造为防止电荷从所述光电转换单元泄漏，并且形成为沿与所述寄存器单元相同方向延伸的p型杂质区域；

多个转移电极，构造为施加电压到所述寄存器单元；以及

定时发生电路，构造为提供电压到所述转移电极以改变所述寄存器单元的电位分布，其中

所述转移电极当中具有预定低值的待机电压的低位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质总量小于待机电压高于所述预定低值的中位电极之下形成所述寄存器单元的n型杂质总量。