[发明专利]固体电解电容器的制造方法及固体电解电容器有效
申请号: | 201380039129.7 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN104488050B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 青木清文;上尾浩正;辰野纯也;稻泽幸治 | 申请(专利权)人: | AVX公司 |
主分类号: | H01G9/032 | 分类号: | H01G9/032;H01G9/00;H01G9/028 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体电解电容器 突起部 电介质氧化皮膜 固体电解质层 形成工序 阳极体 制造 表面形成导电性 表面形成电介质 导电性高分子层 阀作用金属粉末 阀作用金属箔 表面形成 二氧化锰 高分子层 氧化皮膜 烧结 被覆率 成形体 粗面化 岛状地 烧结体 | ||
本发明提供一种ESR特性优异的固体电解电容器的制造方法及固体电解电容器。一种固体电解电容器的制造方法,其在对由阀作用金属粉末构成的成形体进行烧结而成的烧结体的表面,或粗面化的阀作用金属箔的表面形成电介质氧化皮膜,作为阳极体,且在阳极体的表面形成固体电解质层,其特征在于,作为形成固体电解质层的工序,进行:在电介质氧化皮膜的表面,以被覆率为1~20%的方式岛状地分散形成平均直径为10~102nm的由二氧化锰构成的突起部的突起部形成工序(S3);和在突起部及电介质氧化皮膜的表面形成导电性高分子层的导电性高分子层形成工序(S4)。
本申请是国际专利申请号为PCT/JP2013/064501进入国家阶段的申请,申请日为2013年5月24日,要求了申请号为2012-189520,申请日为2012年8月30日,提交到日本知识产权局的日本专利申请的优先权,该全部公开内容作为参考引入本文。
技术领域
本发明涉及固体电解电容器的制造方法及固体电解电容器。
背景技术
目前,已知有固体电解质仅使用二氧化锰的固体电解电容器的制造方法、固体电解质仅使用导电性高分子的固体电解电容器的制造方法或固体电解质使用二氧化锰和导电性高分子的固体电解电容器的制造方法(例如参照专利文献1~3)。
专利文献1中公开有一种固体电解电容器的制造方法,其在电介质氧化皮膜的表面岛状地形成导电性高分子之后,以覆盖该导电性高分子的方式在电介质氧化皮膜的整个表面形成二氧化锰层。
根据该制造方法,由于在电介质氧化皮膜的表面形成导电率比二氧化锰高的导电性高分子,所以可以得到ESR特性比固体电解质仅使用二氧化锰的固体电解电容器优异的固体电解电容器。另外,根据该制造方法,由于与电介质氧化皮膜的密合性良好的二氧化锰层以覆盖岛状的导电性高分子的方式形成于电介质氧化皮膜的整个表面,所以可以提高导电性高分子和电介质氧化皮膜的密合性。
专利文献2中公开有一种固体电解电容器的制造方法,其在电介质氧化皮膜的整个表面形成厚度1μm以上的二氧化锰层之后,通过使用氧化剂的化学聚合,在二氧化锰层的表面形成导电性高分子层。
根据该制造方法,由于二氧化锰层形成于电介质氧化皮膜的整个表面,所以可以防止在进行化学聚合时电介质氧化皮膜直接暴露于酸中而电介质氧化皮膜受到损伤。
另外,专利文献3中公开有一种固体电解电容器的制造方法,其将电介质氧化皮膜的整个表面形成有二氧化锰层的阳极体浸渍于悬浮有导电性高分子粉末的悬浮水溶液中,在二氧化锰层的表面形成导电性高分子层。
根据该制造方法,由于可以通过向悬浮水溶液浸渍而在二氧化锰层的表面形成均一且厚度充足的导电性高分子层,所以可以防止二氧化锰层或电介质氧化皮膜因安装时的热应力等损伤而致使ESR特性及泄漏电流特性恶化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利公开第2008-263167号公报
专利文献2:日本专利公开第平6-69082号公报
专利文献3:日本专利公开第2006-147900号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,通过上述专利文献1所记载的制造方法制造的固体电解电容器由于二氧化锰层以覆盖岛状的导电性高分子的方式形成于电介质氧化皮膜的整个表面,所以与固体电解质仅使用导电性高分子的固体电解电容器相比,ESR特性变差。而且,在该制造方法中,由于在形成岛状的导电性高分子之后形成二氧化锰层,所以因在形成二氧化锰层时进行的热处理而岛状的导电性高分子会劣化,且ESR特性会更进一步恶化。
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