[发明专利]低电压多级放大器有效

专利信息
申请号: 201380039220.9 申请日: 2013-07-26
公开(公告)号: CN104488192B 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: V·翰纳瑟卡兰 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/21;H03F3/30;H03F3/345
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 亓云
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电压 多级 放大器
【权利要求书】:

1.一种低电压多级放大器,包括:

一个或多个先前级,所述一个或多个先前级的输出耦合至一输出级;

电源级;

输出级,其中所述电源级向所述输出级供电;以及

偏置电路系统,其中所述偏置电路系统经由所述电源级来设置用于所述输出级的适合操作的静态电流,其中所述偏置电路系统包括:复制电流级;最小值选择器;以及误差放大器,其中所述复制电流级向所述最小值选择器提供第一偏置电压和第二偏置电压,其中所述最小值选择器向所述误差放大器提供经确定电压,并且其中所述误差放大器控制设置所述输出级的静态电流的所述电源级。

2.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述电源级还作为阻尼级来操作。

3.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,如果所述第一偏置电压和所述第二偏置电压在彼此的最小值选择器晶体管饱和电压内,则所述经确定电压是所述第一偏置电压和所述第二偏置电压的平均,并且其中如果所述第一偏置电压和所述第二偏置电压不在所述彼此的最小值选择器晶体管饱和电压内,则所述经确定电压是所述第一偏置电压和所述第二偏置电压的较小者。

4.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述误差放大器向所述电源级输出第一控制电压和第二控制电压。

5.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述输出级中的第一晶体管是p沟道晶体管而所述电源级的第二晶体管是n沟道晶体管。

6.如权利要求5所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述第一晶体管的源极被耦合至可变正电源电压,其中所述第一晶体管的栅极被耦合至所述第二晶体管的漏极,并且其中所述第二晶体管的源极被耦合至可变负电源电压。

7.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述一个或多个先前级包括第一级和第二级,其中所述第一级接收输入信号,其中所述第一级的输出端被耦合至所述第二级,其中所述第二级的输出端被耦合至所述输出级,并且其中所述输出级输出输出信号。

8.如权利要求7所述的低电压多级放大器,其特征在于,不需要附加偏置电流来支持所述电源级,因为所述第二级中的电流被回收。

9.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述低电压多级放大器是G类放大器。

10.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述低电压多级放大器是H类放大器。

11.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述低电压多级放大器被配置成将所述输出级的电源电压与所述输出级的输出信号匹配。

12.如权利要求1所述的低电压多级放大器,其特征在于,所述输出级以±0.45V的电源电压来操作。

13.一种用于放大的方法,所述方法包括:

获得输入信号;以及

使用低电压多级放大器来放大所述输入信号,所述低电压多级放大器包括:

一个或多个先前级,所述一个或多个先前级的输出耦合至一输出级;

电源级;

输出级,其中所述电源级向所述输出级供电;以及

偏置电路系统,其中所述偏置电路系统经由所述电源级来设置用于所述输出级的适合操作的静态电流,其中所述偏置电路系统包括:复制电流级;最小值选择器;以及误差放大器,其中所述复制电流级向所述最小值选择器提供第一偏置电压和第二偏置电压,其中所述最小值选择器向所述误差放大器提供经确定电压,并且其中所述误差放大器控制设置所述输出级的静态电流的所述电源级。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述电源级还作为阻尼级来操作。

15.如权利要求13所述的方法,其特征在于,如果所述第一偏置电压和所述第二偏置电压在彼此的最小值选择器晶体管饱和电压内,则所述经确定电压是所述第一偏置电压和所述第二偏置电压的平均,并且其中如果所述第一偏置电压和所述第二偏置电压不在所述彼此的最小值选择器晶体管饱和电压内,则所述经确定电压是所述第一偏置电压和所述第二偏置电压的较小者。

16.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述误差放大器向所述电源级输出第一控制电压和第二控制电压。

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