[发明专利]半导体器件、显示单元和电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及适于将有机半导体材料用于半导体膜的情况的半导体器件、显示单元和电子装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)被用作诸如显示单元(半导体器件)等许多电子装置的驱动器件。近年来，在成本和柔性等方面而言，有机材料作为这样的TFT的半导体膜的前景广阔，且有机材料的开发已经取得了积极的进展(例如，非专利文献1)。

在半导体器件中，设置有存储电容器以及前述的TFT。在TFT的栅极电极与半导体膜之间以及在存储电容器的上部电极与下部电极之间均存在绝缘膜。所述绝缘膜被共用地设置于TFT和存储电容器中。

引用列表

非专利文献

[非专利文献1]J.Veres等,Adv.Funct.Mater.2003,13,No.3,3月199-204

发明内容

技术问题

在具有前述的TFT和前述的存储电容器的电子装置中，期望在不减小存储电容器的电容的情况下提高TFT的迁移率。

期望提供在存储电容器的电容得到保持的同时晶体管的迁移率得到提高的半导体器件、显示单元和电子装置。

问题的解决方案

根据本发明的实施例，提出了一种半导体器件，其包括：晶体管，所述晶体管包含位于栅极电极与半导体膜之间的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少与所述半导体膜接触；存储电容器，所述存储电容器包含位于一对电极之间的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数大。

根据本发明的实施例，提供了一种显示单元，其包括：多个像素；晶体管，所述晶体管驱动所述像素并且包含位于栅极电极与半导体膜之间的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少与所述半导体膜接触；和存储电容器，所述存储电容器包含位于一对电极之间的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数大。

根据本发明的实施例，提出了一种设置有显示单元的电子装置。所述显示单元包括：多个像素；晶体管，所述晶体管驱动所述像素并且包含位于栅极电极与半导体膜之间的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜至少与所述半导体膜接触；和存储电容器，所述存储电容器包含位于一对电极之间的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数大。

在根据本发明的实施例的半导体器件、显示单元和电子装置中，在所述晶体管中设置有所述第一绝缘膜，且在所述存储电容器中设置有所述第二绝缘膜。因此，具有大介电常数的第二绝缘膜保持存储电容器的电容量，并且具有小介电常数的第一绝缘膜提高晶体管的迁移率。

本发明的有益效果

根据本发明实施例的半导体器件、显示单元和电子装置，在晶体管中设置有第一绝缘膜并且在存储电容器中设置有第二绝缘膜。因此，在保持存储电容器的电容量的同时，能够提高晶体管的迁移率。

应理解，前面的整体说明和下面的详细说明都是示例性的，且旨在对权利要求请求保护的本发明提供进一步说明。

附图说明

图1是图示了根据本发明实施例的显示单元的构造的横截面图。

图2图示了图1所示的显示单元的整体构造。

图3A是图示了图2所示的像素驱动电路的示例的等效电路图。

图3B图示了图3A所示的像素驱动电路的另一个示例。

图4A是图示了图1所示的显示单元的制造方法的横截面图。

图4B是图示了图4A的步骤之后的步骤的横截面图。

图4C是图示了图4B的步骤之后的步骤的横截面图。

图4D是图示了图4C的步骤之后的步骤的横截面图。

图5是图示了图4B的步骤之后的步骤的另一个示例的横截面图。

图6A是图示了图4D的步骤之后的步骤的横截面图。

图6B是图示了图6A的步骤之后的步骤的横截面图。

图6C是图示了图6B的步骤之后的步骤的横截面图。

图6D是图示了图6C的步骤之后的步骤的横截面图。

图7是图示了根据比较例的显示单元的构造的横截面图。

图8是图示了根据变型例的显示单元的构造的横截面图。

图9A是图示了应用例1的外观的立体图。

图9B是图示了图9A的另一个示例的立体图。

图10是图示了应用例2的外观的立体图。

图11是图示了应用例3的外观的立体图。

图12A是图示了应用例4的从正面观察的外观的立体图。

图12B是图示了应用例4的从背面观察的外观的立体图。