[发明专利]无源混频器电路中改进的线性度有效
申请号: | 201380039256.7 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104488191B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 干海涛;李晓勇 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03D3/00 | 分类号: | H03D3/00;H03D7/14;H03D7/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张扬;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 无源 混频器 电路 改进 线性 | ||
1.一种无线接收机,包括:
混频器,其配置为接收包括相对小的调制信号和相对大的载波信号的输入射频(RF)信号,所述混频器包括多个开关;以及
平衡电路,其配置为接收电源电压和时钟信号,并向所述混频器中的开关提供控制信号,所述平衡电路包括电容,所述电容被配置为接收电荷并选择性地将所述电荷沿着栅极路径消散为栅极电压;
其中,所述控制信号使得所述混频器中的所述开关根据源极电压和所述栅极电压之间的电压差值,在按照所述时钟信号的时间进行切换,其中,所述源极电压和所述栅极电压之间的所述电压差值近似地是大于所述开关的导通电压电平的预定的电压值。
2.根据权利要求1所述的无线接收机,其中,所述平衡电路还包括交叉耦合电压混频电路,所述交叉耦合电压混频电路被配置为将所述时钟信号与所述时钟信号的逆进行混频,以产生用于控制与所述电容相连接的晶体管的第三时钟信号。
3.根据权利要求1所述的无线接收机,还包括:
NMOS/PMOS晶体管对,其连接到所述电容并且配置为接收所述时钟信号和电源电压,并控制所述电容的充电。
4.根据权利要求1所述的无线接收机,还包括:
晶体管对,其配置为:当所述电容在充电时,使所述混频器中的所述开关与所述电容相隔离。
5.根据权利要求1所述的无线接收机,其中,使所述电容的大小足够提供所述栅极电荷电压和所述栅极路径中的所有寄生电容。
6.根据权利要求1所述的无线接收机,其中,所述预定的电压值是所述电源电压。
7.一种用于将接收的射频(RF)信号与本地振荡器(LO)信号进行混频的方法,所述RF信号包括相对小的调制信号和相对大的载波信号,所述方法包括:
接收电源电压和时钟信号;
使用电容接收电荷并选择性地消散电荷,其中,选择性地消散电荷发生为沿着栅极路径的栅极电压;以及
根据源极电压和所述栅极电压之间的电压差值,在按照所述时钟信号的时间,使用混频开关对所述RF信号和所述LO信号中的一个进行切换,其中,所述源极电压和所述栅极电压之间的所述电压差值近似地是大于所述开关的导通电压电平的预定的电压值。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
将所述时钟信号与所述时钟信号的逆进行混频,以产生用于控制与所述电容相连接的晶体管的第三时钟信号。
9.根据权利要求7所述的方法,还包括:
使用NMOS/PMOS晶体管对来控制所述电容的充电,所述NMOS/PMOS晶体管对连接到所述电容并配置为接收所述时钟信号和电源电压。
10.根据权利要求7所述的方法,还包括:
当所述电容在充电时,使所述混频开关与所述电容相隔离。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,使所述电容的大小足够提供所述栅极电荷电压和所述栅极路径中的所有寄生电容。
12.根据权利要求7所述的方法,其中,所述预定的电压值是所述电源电压。
13.一种用于将接收的射频(RF)信号与本地振荡器(LO)信号进行混频的装置,所述RF信号包括相对小的调制信号和相对大的载波信号,所述装置包括:
用于接收电源电压和时钟信号的单元;
用于接收电荷并选择性地消散电荷的电容单元,其中,选择性地消散电荷发生为沿着栅极路径的栅极电压;以及
用于根据源极电压和所述栅极电压之间的电压差值,在按照所述时钟信号的时间,使用混频开关对所述RF信号和所述LO信号中的一个进行切换的单元,其中,所述源极电压和所述栅极电压之间的所述电压差值近似地是大于所述开关的导通电压电平的预定的电压值。
14.根据权利要求13所述的装置,还包括:
用于将所述时钟信号与所述时钟信号的逆进行混频,以产生用于控制与所述电容单元相连接的晶体管的第三时钟信号的单元。
15.根据权利要求13所述的装置,还包括:
用于控制所述电容的充电的单元,所述用于控制的单元包括NMOS/PMOS晶体管对,所述NMOS/PMOS晶体管对连接到所述电容单元并配置为接收所述时钟信号和电源电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380039256.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。