[发明专利]传感器件有效

专利信息
申请号: 201380039276.4 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN104487806A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 松本昌大;中野洋;半泽惠二;浅野哲 申请(专利权)人: 日立汽车系统株式会社
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12;G01L9/00;G01L19/12;G01R19/165
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感 器件
【权利要求书】:

1.一种检测规定的物理量的传感器件,包括用于从外部供给电源的电源端子和接地端子、将所述传感器件的输出信号作为模拟电压输出至外部的输出端子和生成所述输出端子的输出信号的输出电路,所述传感器件的特征在于,包括:

配置在所述输出电路的负反馈部的MOS开关与电容器的串联电路;和

与所述MOS开关的阱电极连接的用作二极管的元件。

2.如权利要求1所述的传感器件,其特征在于:

所述输出电路为漏极开路型的输出电路。

3.如权利要求2所述的传感器件,其特征在于:

所述输出电路为NMOS的漏极开路电路,所述用作二极管的元件以从电源端子至所述MOS开关的阱电极的方向为正向。

4.如权利要求2所述的传感器件,其特征在于:

所述输出电路为PMOS的漏极开路电路,所述用作二极管的元件以从所述MOS开关的阱电极至接地端子的方向为正向。

5.如权利要求1所述的传感器件,其特征在于,包括:

在所述电源端子或接地端子开放时,使所述电源端子与所述接地端子之间的电压降低至规定的电压以下的部件;检测所述电源端子与所述接地端子之间的电压降低之情况的电压检测部件;和与根据所述电压检测部件的输出而通断的所述用作二极管的元件并联连接的MOS晶体管。

6.如权利要求3所述的传感器件,其特征在于,包括:

所述用作二极管的元件由PMOS晶体管构成,

将所述PMOS晶体管的源极电极连接到电源端子,将漏极电极、阱电极和栅极电极连接到所述MOS开关的阱电极。

7.如权利要求4所述的传感器件,其特征在于,包括:

所述用作二极管的元件由NMOS晶体管构成,

将所述NMOS晶体管的源极电极连接到接地端子,将漏极电极、阱电极和栅极电极连接到所述MOS开关的阱电极。

8.如权利要求1所述的传感器件,其特征在于,包括:

在所述电源端子或接地端子开放时,使所述电源端子与所述接地端子之间的电压降低至规定的电压以下的部件;检测所述电源端子与所述接地端子之间的电压降低之情况的电压检测部件;和控制所述输出端子的电压的晶体管,

将根据所述电压检测部件的输出而进行通断动作的晶体管与控制所述输出端子的电压的晶体管的阱电极连接。

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