[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备有效
申请号: | 201380039288.7 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN104488082B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 铃木亮司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
基板;
多个像素,每个像素包括形成在该基板中的光电转换单元;
彩色滤光片层,设置在该基板的光入射面侧上;装置分离部,形成为按照各个像素划分该彩色滤光片层和该基板,该装置分离部的折射率低于该彩色滤光片层和该基板的折射率;以及
光吸收部分,形成在该装置分离部的光入射面侧上。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中该装置分离部包括从该彩色滤光片层延伸至该基板的沟槽部分以及埋设在该沟槽部分中的绝缘膜,该绝缘膜由折射率低于该彩色滤光片层和该基板的折射率的材料制成。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中该装置分离部还包括在该沟槽部分的内壁表面和该绝缘膜之间的薄膜,该薄膜形成为覆盖该沟槽部分的该内壁表面,该薄膜包含极性与该光电转换单元中存储的信号电荷的极性相反的固定电荷,该薄膜由折射率低于该彩色滤光片层和该基板的折射率的材料制成。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中该装置分离部从该彩色滤光片层的光入射面突出。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置,还包括形成在该彩色滤光片层上的高折射材料部分,该高折射材料部分由折射率高于该装置分离部的折射率的材料制成,该高折射材料部分按照各个像素而被划分。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中该装置分离部被设置在形成为按照各个像素划分该基板的像素分离部的区域中。
7.根据权利要求6所述的固态成像装置,还包括设置在该光电转换单元的光入射面侧上的光散射结构。
8.根据权利要求7所述的固态成像装置,其中该彩色滤光片层的厚度为1μm或更大。
9.根据权利要求8所述的固态成像装置,其中金属材料经由该绝缘膜而被埋设在该沟槽部分中。
10.根据权利要求9所述的固态成像装置,其中该金属材料用作不透光膜。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中片上透镜形成在该彩色滤光片层上。
12.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中该装置分离部形成有从该彩色滤光片层延伸至该基板的沟槽部分。
13.根据权利要求2所述的固态成像装置,还包括形成为覆盖该沟槽部分的内壁表面的薄膜,该薄膜包含负的固定电荷,该薄膜由折射率低于该彩色滤光片层和该基板的折射率的材料制成。
14.一种制造固态成像装置的方法,包括:
在基板中形成光电转换单元的步骤,该光电转换单元对应于各个像素;
在该基板的光入射面侧上形成彩色滤光片层的步骤;
在按照各个像素划分该彩色滤光片层和该基板的区域中形成装置分离部的步骤,该装置分离部的折射率低于该彩色滤光片层和该基板的折射率,在形成该彩色滤光片层之前或之后形成该装置分离部;以及
在该装置分离部的光入射面侧上形成光吸收部分的步骤。
15.根据权利要求14所述的方法,其中在同一步骤中形成该装置分离部的按照各个像素划分该彩色滤光片层的部分以及该装置分离部的按照各个像素划分该基板的剩余部分。
16.根据权利要求15所述的方法,其中
形成该装置分离部的步骤包括:
在形成该彩色滤光片层之前,通过在该基板的该光入射面侧上形成掩模并且借助于该掩模在该基板上执行刻蚀来形成沟槽部分的步骤,该掩模在与形成有该装置分离部的区域对应的部分中具有开口;
在形成于该基板中的该沟槽部分中以及该掩模的该开口中形成绝缘膜的步骤;以及
移除该掩模的步骤,并且
在移除该掩模后,在凹入部分中形成该彩色滤光片层,该凹入部分由该基板和设计为从该基板突出的该绝缘膜形成。
17.根据权利要求15所述的方法,其中形成该装置分离部的步骤包括在形成该彩色滤光片层后、通过在该彩色滤光片层上形成掩模并且借助于该掩模在该彩色滤光片层和该基板上执行刻蚀来形成沟槽部分的步骤,该掩模在与形成有该装置分离部的区域对应的部分中具有开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的