[发明专利]抗静电性剥离薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及在基底薄膜的一面形成有抗静电层、在该抗静电层上进一步形成有硅酮类剥离层的抗静电性剥离薄膜。

背景技术

对于各向异性导电薄膜(ACF)等所使用的剥离薄膜，不仅要求良好的剥离性，而且，为了防止由带电导致的异物向ACF的附着、操作性的降低，还要求显示良好的抗静电性，作为这样的剥离薄膜，提出了在聚酯薄膜等基底薄膜上设置有抗静电层、进而在该抗静电层上设置有硅酮类剥离层的剥离薄膜，所述抗静电层含有异氰酸酯与通常用作表面活性剂的烷基乙炔二醇的反应物且含有导电性高分子作为抗静电剂(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-83536号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所提出的抗静电性剥离薄膜的情况下，由于抗静电层所含有的烷基乙炔二醇为表面活性剂，所以有抗静电层与硅酮类剥离层之间的粘附性降低的问题。该问题有在将抗静电性剥离薄膜长时间放置于高温高湿环境下时显著显现的趋势。因此，在抗静电性剥离薄膜上层压ACF的情况下，担心发生硅酮类剥离层向ACF侧的转移和粘附而妨碍ACF特性的发挥。

本发明的课题在于解决以上目前的问题，在基底薄膜的一面形成有抗静电层、该抗静电层上进一步形成有硅酮类剥离层的抗静电性剥离薄膜中，在显示令人满意的剥离力和表面电阻值的同时，也使在放置于高温高湿环境下时抗静电层与硅酮类剥离层之间的粘附性为良好的水平。

解决课题的手段

本发明人发现，通过使抗静电层中含有使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物、水溶性成膜用树脂和抗静电剂，可解决上述课题，从而完成本发明。

即，本发明提供抗静电性剥离薄膜，所述抗静电性剥离薄膜是在基底薄膜的一面形成抗静电层、在该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成，其中，该抗静电层含有以下成分(a)~(c)：

(a) 使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物，

(b) 水溶性成膜用树脂，和

(c) 抗静电剂。

另外，本发明提供在该抗静电性剥离薄膜上层压有双面粘合薄膜的带有剥离薄膜的胶带。

发明的效果

在基底薄膜的一面形成抗静电层、该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成的本发明的抗静电性剥离薄膜中，该抗静电层含有使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物。因此，在抗静电层相对于聚酯薄膜等基底薄膜确保良好的粘附性的同时，相对于硅酮类剥离层，例如在放置于高温高湿环境下时也可确保良好的粘附性。另外，水溶性成膜用树脂可将缩合反应物和抗静电剂一同在水性介质中均匀地混合，可提供操作性优异的抗静电层形成用涂料组合物。

附图说明

图1为本发明的抗静电性剥离薄膜的示意截面图。

具体实施方式

如图1所示，本发明的抗静电性剥离薄膜具有在基底薄膜1的一面形成有抗静电层2、在该抗静电层2上进一步形成有硅酮类剥离层3的结构。

<<基底薄膜1>>

基底薄膜1可应用目前的剥离薄膜的基底薄膜，通常可使用厚度为10~200μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰胺薄膜、聚酰亚胺薄膜等。

<<抗静电层2>>

抗静电层2通常为厚度0.05~0.5μm的含有以下成分(a)~(c)的层：

(a) 使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物，

(b) 水溶性成膜用树脂，和

(c) 抗静电剂。

以下，对上述各成分进行详细说明。

<成分(a)>

成分(a)为使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物。

此处，硅酸烷基酯为具有键合于硅原子的烷氧基作为可被水解的水解性基团的硅酸酯，具体而言为具有式(1)所示的结构的化合物，可使用市售品。

在式(1)中，R1为烷基，从沸点和反应性的观点出发优选为碳原子数1~3的烷基，从高的反应性的观点出发特别优选为甲基，或者从低的环境负担性的观点出发特别优选为乙基，n表示硅氧烷单元的重复数(聚合度)，表示1以上的整数，从反应性的观点出发优选表示3~8的整数，特别优选表示5的整数。