[发明专利]通过气相化学暴露的低K介电质损伤修复

权利要求书

1.一种修复损伤的低k介电层的方法，包括：

使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物；及

可选择地使所述多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物与所述使所述多孔的低k介电层暴露于一UV固化工艺为同时进行。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述含乙烯基硅烷的化合物具有下列化学式：

其中R₁、R₂及R₃分别选自氢(H)、烷基、氯、乙烯基及烷氧基。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述含乙烯基硅烷的化合物为三甲基乙烯基硅烷(TMVS)。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述含乙烯基硅烷的化合物为呈气相。

6.如权利要求1所述的方法，更包括在使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物之前，先将所述多孔的低k介电层放置在处理腔室中。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述处理腔室处于介于50毫托耳与500托耳之间的压力，所述介电层处于介于100℃与400℃间的温度，所述含乙烯基硅烷的化合物以介于1sccm与10000sccm之间的流率流至所述处理腔室中，所述介电层与UV辐射接触，所述UV辐射处在介于100W/m²与2000W/m²之间的UV辐射功率及介于100nm与400nm之间的UV波长。

8.如权利要求1所述的方法，更包括以下步骤：

使所述多孔的低k介电层暴露于硅烷化作用剂。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述硅烷化作用剂是选自由六甲基二硅氮烷(HMDS)、四甲基二硅氮烷(TMDS)、三甲基氯硅烷(TMCS)、二甲基二氯硅烷(DMDCS)、甲基三氯硅烷(MTCS)、三甲基甲氧基硅烷(TMMS)(CH₃-O-Si-(CH₃)₃)、二甲基二甲氧基硅烷(DMDMS)((CH₃)₂-Si-(OCH₃)₂)、甲基三甲氧基硅烷(MTMS)((CH₃-O-)₃-Si-CH₃)、苯基三甲氧基硅烷(PTMOS)(C₆H₅-Si-(OCH₃)₃)、苯基二甲基氯硅烷(PDMCS)(C₆H₅-Si(Cl)-(CH₃)₂)、二甲基氨基三甲基硅烷(DMATMS)((CH₃)₂-N-Si-(CH₃)₃)或双(二甲基氨基)二甲基硅烷(BDMADMS)所组成的群组。

10.如权利要求8所述的方法，更包括以下步骤：使所述多孔的低k介电层暴露于氧化化合物。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述氧化化合物是选自由氧(O₂)、含氧的化合物、臭氧(O₃)、含臭氧的化合物、过氧化氢(H₂O₂)、含过氧化氢的化合物及所述者的组合所组成的群组。

12.如权利要求10所述的方法，其中使所述多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物、使所述多孔的低k介电层暴露于含硅烷基的化合物以及使所述多孔的低k介电层暴露于氧化化合物是同时进行。

13.一种修复损伤的低k介电层的方法，包括：

将多孔的低k介电层放置在处理腔室中；

使多孔的低k介电层暴露于氧化化合物；

使所述多孔的低k介电层暴露于硅烷化作用剂；及

可选择地使所述多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述使所述多孔的低k介电层暴露于氧化化合物与所述使所述多孔的低k介电层暴露于UV固化工艺为同时进行。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述处理腔室处于介于50毫托耳与500托耳之间的压力，所述介电层处于介于100℃与400℃间的温度，所述硅烷化作用剂以介于1sccm与10000sccm之间的流率流至所述处理腔室中，且所述氧化化合物以介于1sccm与10000sccm之间的流率流至所述处理腔室中。