[发明专利]加工对象物切断方法有效
申请号: | 201380039963.6 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN104508799B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 田力洋子;山田丈史 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/38;B23K26/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 对象 切断 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于将具备单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法。
背景技术
作为上述技术领域中的现有的加工对象物切断方法,在专利文献1中记载了如下方法:通过切割或者划片在蓝宝石基板的表面和背面形成分离槽,并且通过激光的照射在蓝宝石基板内形成多段加工变质部,并沿着分离槽和加工变质部切断蓝宝石基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-245043号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,为了将具备具有与c面形成达偏角(off angle)的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各发光元件部,通过激光的照射在单晶蓝宝石基板内形成改质区域,从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂会到达发光元件部,由此有应制造的发光元件的成品率下降的情况。
在此,本发明的目的是提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。
解决技术问题的手段
本发明人等为了达到上述目的而反复专心研究的结果,彻底查明:从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的事实起因于单晶蓝宝石基板中的m面与r面的关系。即,从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的切断预定线形成的改质区域所产生的龟裂的伸展方向相比于m面的影响更强烈地受到相对于m面倾斜的r面的影响,而朝r面的倾斜方向拉引,其结果,有该龟裂到达发光元件部的情况。本发明人等基于该认识进一步反复研究,从而完成本发明。
即,本发明的一个侧面的加工对象物切断方法,是将具备具有与c面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法,具备:以背面作为单晶蓝宝石基板中的激光的入射面,将激光的聚光点对准于单晶蓝宝石基板内,并使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条相对地移动,由此沿着各条第1切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域,并且使从第1改质区域产生的第1龟裂到达背面的第1工序;以及在第1工序之后,沿着各条第1切断预定线使外力作用于加工对象物,由此使第1龟裂伸展,并沿着各第1切断预定线切断加工对象物的第2工序,在第1工序中,在相邻接的发光元件部间从在与m面平行的方向上延伸的格线(street)区域的中心线至将聚光点对准的位置为止的从与背面垂直的方向看的情况下的距离为ΔY,单晶蓝宝石基板的厚度为t,从背面至将聚光点对准的位置为止的距离为Z,格线区域的宽度为d,表面中的第1龟裂的蛇行量为m,垂直于背面的方向与第1龟裂伸展的方向所形成的角度为α的情况下,以满足ΔY=(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式,以背面作为入射面,将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内,使聚光点沿着各条第1切断预定线相对地移动。
在该加工对象物切断方法中,在以与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的方式设定的多条第1切断预定线的各条中,以满足ΔY=(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式将激光照射在加工对象物,在单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域,并且使从第1改质区域产生的第1龟裂到达单晶蓝宝石基板的背面。由此,即使从第1改质区域产生的第1龟裂的伸展方向朝r面的倾斜方向拉引,也可以在单晶蓝宝石基板的表面将第1龟裂收在格线区域内。因此,根据该加工对象物切断方法,能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的m面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部。另外,偏角为包含0°的情况的偏角。在该情况下,单晶蓝宝石基板的表面和背面与c面平行。
在此,在第2工序中,也可以沿着各第1切断预定线从表面侧将刀缘抵接在加工对象物,沿着各条第1切断预定线使外力作用于加工对象物。由此,由于外力以到达单晶蓝宝石基板的背面的第1龟裂裂开的方式作用于加工对象物,因此能够沿着第1切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造