[发明专利]图案形成方法、光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物、抗蚀剂膜和制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种图案形成方法，所述图案形成方法包括：

(i)使用光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成膜，所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物含有：

具有包含能够通过归因于酸的作用的分解而生成极性基团的基团的重复单元、包含羧基的重复单元、和与所述包含羧基的重复单元不同的由以下通式(1)表示的非酸分解性重复单元的树脂(A)，

根据使用光化射线或放射线的照射生成酸的化合物(B)，以及

溶剂(C)；

(ii)使用KrF准分子激光、极紫外线或电子束将所述膜曝光；以及

(iii)通过使用包含有机溶剂的显影液将已曝光的膜显影而形成阴图型色调图案，

所述树脂(A)包含由以下通式(AI)表示的重复单元作为所述包含能够通过归因于酸的作用的分解而生成极性基团的基团的重复单元，

在所述通式(1)中，

R表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子或烷氧基羰基，

L表示单键或(n+1)价连接基团，

Y表示芳族基团，并且

n表示1以上的整数。

在所述通式(AI)中，

X_a1表示氢原子、烷基、氰基或卤素原子，

T表示单键或二价连接基团，

Rx₁至Rx₃各自独立地表示烷基。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中(ii)中的所述曝光是使用KrF准分子激光的曝光。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中在所述通式(1)中，L表示单键、亚烷基、芳环基、亚环烷基、-COO-L₁’-、-O-L₁’-、-CONH-、或通过结合它们中的两个以上形成的基团，L₁’表示亚烷基、亚环烷基、芳环基、或通过结合亚烷基和芳环基形成的基团。

4.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中所述通式(AI)中的R_X1至R_X3表示甲基。

5.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中所述由通式(1)表示的重复单元是由以下通式(1-1)表示的重复单元，

在所述通式(1-1)中，

R₁表示氢原子、烷基、卤素原子或烷氧基羰基，

X表示单键、亚烷基、-COO-、或-CONR₆₄-，

R₆₄表示氢原子或烷基，

L表示单键、-COO-或亚烷基，

Ar表示(n+1)价芳环基，并且

n表示1至4的整数。

6.根据权利要求1或2所述的图案形成方法，其中所述树脂(A)还含有包含内酯结构的重复单元，并且相对于所述树脂(A)中的全部重复单元，所述包含内酯结构的重复单元的含量是25摩尔％以下。