[发明专利]晶片级封装的红外焦平面阵列的抗反射涂敷盖晶片中的应力减缓方法

权利要求书

1.一种减少盖晶片上的抗反射涂层引起的晶片弯曲的方法，所述方法包括：

提供具有平面侧和相对的腔体侧的盖晶片，所述腔体侧包括至少一个凹陷区域和在所述至少一个凹陷区域任一侧的分隔区域；

将其中具有至少一个开口部的第一遮蔽掩模设置在所述盖晶片的平面侧上方；

对准所述第一遮蔽掩模，使得所述至少一个开口部定位得对着所述至少一个凹陷区域；以及

通过所述第一遮蔽掩模将至少一层抗反射涂层材料沉积到所述盖晶片的平面侧上，以便在所述平面侧上提供非连续涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非连续涂层的尺寸被设置并且所述非连续涂层被配置以使得对于直径8英寸的盖晶片而言，由所述抗反射涂层引起的晶片弯曲小于30微米。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述晶片弯曲小于20微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一遮蔽掩模中的所述至少一个开口部的尺寸设置为可观察地延伸超过所述盖晶片上的所述至少一个凹陷区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一个凹陷区域对应于相应的器件晶片上的至少一个微机电系统(MEMS)器件的位置。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述非连续涂层对应于所述盖晶片上的切割道。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括将其中具有至少一个开口部的第二遮蔽掩模设置在所述盖晶片的腔体侧上方，以及对准所述第二遮蔽掩模以便所述至少一个开口部位于所述至少一个凹陷区域上方。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括通过所述第二遮蔽掩模中的所述至少一个开口部将至少一层抗反射涂层材料沉积到所述盖晶片的腔体侧上以便在所述腔体侧上提供非连续涂层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述平面侧上的所述非连续涂层的尺寸被设置并且所述非连续涂层被配置以使得对于直径8英寸的盖晶片而言，由所述抗反射涂层引起的晶片弯曲小于30微米。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述平面侧上的所述非连续涂层的尺寸被设置并且所述非连续涂层被配置以使得由所述抗反射涂层引起的晶片弯曲与由所述腔体侧上的抗反射涂层引起的晶片弯曲相平衡。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括提供其上形成有至少一个MEMS器件的器件晶片。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

将所述盖晶片设置在所述器件晶片上方，以便所述盖晶片的腔体侧面向所述至少一个MEMS器件；

将所述盖晶片与所述器件晶片对准，以便所述至少一个凹陷区域位于所述至少一个MEMS器件上方；以及

将所述盖晶片与所述器件晶片相接合，以创建接合结构。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括通过由所述盖晶片的平面侧上的非连续涂层提供的检查区域检查所述接合结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其中利用电荷耦合器件进行所述检查。