[发明专利]切割片及装置晶片的制造方法有效
申请号: | 201380040183.3 | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN104508801B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 中西勇人;西田卓生 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J4/00;C09J7/02;C09J133/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 谢顺星,张晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 切割片及装置晶片的制造方法 | ||
技术领域
本发明为关于用在切割树脂封装多个半导体晶片而成的半导体构装等的装置的关联部件时的切割片及使于该切割片的装置晶片的制造方法。
背景技术
半导体晶片被树脂封装的半导体零件(在于本说明书称为“封胶晶片”。),通常如下制作。首先,将半导体晶片搭载于,TAB带等的连接多个基台而成的集合体的各基台,将该等半导体晶片一起树脂封装得到电子零件集合体(在于本说明书,称为“半导体构装”。)。其次,藉由在于半导体构装的封装树脂侧的面,粘贴包括基材与粘着剂层的粘着片(于本说明书称为“切割片”。)将半导体构装固定于切割片。将固定于该切割片的半导体构装切断分离(切割)个片化,制作多个的封胶晶片近接配置于切割片上的部件(切割步骤)。
接着,将在于该部件的切割片扩展(向主面内方向伸长),扩大配置于切割片上的封胶晶片的间隔(扩展步骤)。将如此地将在于切割片上以互相离间的状态的封胶晶片,个别拾取由切割片分离(拾取步骤)移送至下一步骤。
于完成切割步骤的后,至实施拾取步骤之前,藉由实施使所述粘着剂层的粘着性下降的步骤,提升拾取步骤的工作性。降低该粘着性的步骤,通常切割片的粘着剂层为设计成可藉由特定的刺激使粘着性下降,特定的刺激,可采用例如,照射紫外线或电子线等的能量线。
该一连串的步骤的中,于切割步骤的其后的扩展步骤,半导体构装及其被切割而成的封胶晶片,要求可维持附着在切割片的状态。由达成该目的的观点,切割片的粘着剂层,对该半导体构装及封胶晶片的能量线照射前的粘着性(于本说明书,若无提及“粘着性”为指切割片的粘着剂层的能量线照射前的粘着性。)高为优选。在此切割片的被着体为半导体构装时,相较于以半导体晶圆等的半导体基板作为被着体时,被着面的表面粗糙度较大。因此,将以半导体基板等作为被着体的切割片,转用在以半导体构装作为被着体的切割片,则对被着体的粘着性变得不充分,于切断半导体构装的中,有个片化的封胶晶片由切割片剥离飞散的异常(晶片飞散)的情形。
如此的晶片飞散的问题,不只是半导体构装,在于其他的装置相关部件的切割步骤亦可能发生。在于本说明书,所谓“装置相关部件”,为指用于制造装置的过程所制造的中间制造物,而供于切割步骤的部件。容易发生所述晶片飞散的装置相关部件,可例示,具有由多孔质的陶瓷类材料所构的基板的被着面的粗糙度大的部件,或于半导体基板上具有如间隔片的厚度的部件其如被附设的部件一般,于被着面设有凹凸的部件。
以减少发生该晶片飞散的可能性为目标,例如专利文献1所记载,于半导体基板固定用粘着片的粘着剂层含有粘着赋予树脂。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2005-229040号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
但是,即使是包括如此的特征的半导体基盘固定用粘着片,在于具有如上所述的粗糙面或凹凸面(在于本说明总称为“非平坦面”。)的装置相关部件(在于本说明书称为“装置相关非平坦面部件”。)的非平坦面作为被着面进行切割步骤时,为减低晶片飞散的可能性,一般而言,需要使粘着片的粘着剂层的厚度为25μm程度以上,使粘着剂层容易对被着面的沾湿扩散,提高对装置相关非平坦面部件的被着面的粘着性。
在此,将装置相关部件切割时,不仅将装置相关部件,亦将粘贴此的粘着剂层亦以刀片切断,如上所述地粘着剂很厚时,藉由刀片排除的粘着剂层的量变多,由构成该排除的粘着剂层的粘着剂等的成分所形成的团聚物(在于本说明书称为“粘着剂团聚物”。),有容易附着在藉由切割步骤将装置相关部件个片化而成的部件(在于本说明书亦称为“装置晶片”。)的端部的倾向。当如此的粘着剂团聚物残留于装置晶片,则在于其后的步骤,容易发生装置晶片与其他的部件经由粘着剂团聚物附着等的异常。
特别是,将半导体构装等装置相关非平坦面部件切割时,由于使用较切割硅晶圆等的半导体基板时所使用的刀片更厚的刀片,故容易形成所述粘着剂团聚物。因此,发生基于粘着剂团聚物附着在装置晶片的异常的可能性变高。
本发明为以提供,包括即使装置相关部件的表面,特别是装置相关非平坦面部件的非平坦面为被着面的情形,亦可具有优良的粘着性的粘着剂层,且不容易发生基于粘着剂团聚物的异常的切割片,及使用该切割片的装置晶片的制造方法为目标。
解决技术问题的技术手段
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380040183.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子体处理方法
- 下一篇:离子束突波恢复用的射束线电极电压调变
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造