[发明专利]密封高度变化被减少的真空绝缘玻璃(VIG)窗单元以及制备其的方法

权利要求书

1.一种真空绝缘玻璃(VIG)窗单元，包括：

第一基片和第二基片；

密封材料，夹在所述第一和第二基片之间，定义所述第一和第二基片之间所形成的外围腔，位于所述基片之间的所述腔在低于大气压的压力下，且

所述密封材料在所述第一和第二基片之间形成气密密封，其中，围绕整个所述腔的所述密封材料的高度变化小于约0.20mm。

2.如权利要求1所述的真空绝缘玻璃窗单元，其中，围绕整个所述腔的所述密封材料的所述高度变化小于或等于约0.15mm。

3.如上述权利要求中任何一项所述的真空绝缘玻璃窗单元，其中，围绕整个所述腔的所述密封材料的所述高度变化小于或等于约0.10mm。

4.如上述权利要求中任何一项所述的真空绝缘玻璃窗单元，进一步包括：多个隔离片，配置在所述第一和第二基片之间。

5.如权利要求4所述的真空绝缘玻璃窗单元，其中，所述密封材料的高度与所述隔离片的高度基本匹配。

6.如上述权利要求中任何一项所述的真空绝缘玻璃窗单元，其中，所述第一和第二基片为玻璃基片。

7.如上述权利要求中任何一项所述的真空绝缘玻璃窗单元，其中，所述密封材料包括：含有粘合剂的熔块。

8.如上述权利要求中任何一项所述的真空绝缘玻璃窗单元，其中，所述密封材料包括钒。

9.一种制备真空绝缘玻璃窗单元的方法，所述方法包括以下步骤：

将密封材料沉积在第一玻璃基片上，所述密封材料具有周长，所述密封材料通过机器被沉积并具有未燃烧高度，范围为约0.6mm-0.9mm；以及

烧制含有所述第一玻璃基片、第二玻璃基片、和夹在所述第一和第二玻璃基片之间的所述密封材料的子组件，来制备真空绝缘玻璃窗单元，其燃烧的密封材料高度变化小于约0.20mm。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述烧制的步骤，包括：对所述子组件应用对流循环一段时间，至少为约20-30分钟。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述对流循环期间的温度变化低于或等于约2℃。

12.如权利要求9-11中任何一项所述的方法，其中，通过机器被沉积的所述密封材料的所述未燃烧高度范围为约0.6mm-0.7mm，其所述烧制的步骤包括短波红外处理。

13.如权利要求9-12中任何一项所述的方法，其中，有关所述周长的所述燃烧的密封材料高度变化小于或等于约0.15mm。

14.如权利要求9-13中任何一项所述的方法，其中，有关所述周长的所述燃烧的密封材料高度变化小于或等于约0.10mm。

15.如权利要求9-14中任何一项所述的方法，进一步包括：

将由所述密封材料的周长所定义的腔排空至低于大气压的压力。

16.如权利要求9-15中任何一项所述的方法，其中，所述密封材料包括：含有粘合剂的熔块。

17.如权利要求9-16中任何一项所述的方法，其中，所述密封材料包括钒。

18.如权利要求9-17中任何一项所述的方法，进一步包括：在所述第一和第二基片之间配置多个隔离片。

19.一种真空绝缘玻璃(VIG)窗单元，包括：

第一和第二基片；

密封材料，夹在所述第一和第二基片之间，其围绕整个所述VIG窗单元的高度变化小于或等于约0.15mm。