[发明专利]类装置散射测量叠盖目标有效
申请号: | 201380041206.2 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104520982B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 弗拉基米尔·莱温斯基;丹尼尔·坎德尔;依兰·阿米特 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 散射 测量 目标 | ||
1.一种半导体目标,其用于检测衬底的两个或两个以上连续层之间或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的叠盖误差,所述目标包括:
多个第一光栅结构,其具有可由检验工具分辨的粗略间距;及
多个第二光栅结构,其相对于所述第一光栅结构而定位,其中所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距,其中所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间,
其中所述第一及第二光栅的工作循环以对应于所述粗略间距的大小的周期性而改变。
2.根据权利要求1所述的目标,其中所述第二光栅结构布置于每一对第一光栅结构之间,使得所述第一及第二光栅结构的多个空间遵守预定义设计规则规格而所述粗略间距在不具有所述第二光栅结构的情况下将不遵守所述预定义设计规则规格。
3.根据权利要求1所述的目标,其中所述第一及第二光栅结构具有多个不同临界尺寸CD值。
4.根据权利要求3所述的目标,其中所述第一光栅结构具有针对线宽度及间隔宽度的第一组CD值,且所述第二光栅结构具有针对线宽度及间隔宽度的不同于所述第一组CD值的第二组CD值。
5.根据权利要求4所述的目标,其中所述第一组CD值跨越所述粗略间距的循环而变化。
6.根据权利要求1所述的目标,其中所述第一及第二光栅结构是形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的多个孔,且此些孔具有变化的多个CD值。
7.根据权利要求1所述的目标,其中所述粗略间距经选择以增强来自所述第一及第二光栅的1级衍射,同时使其它衍射级最小化。
8.根据权利要求7所述的目标,其中所述第一及第二光栅两者均形成于第一层及不同于所述第一层的第二层中,且其中所述第一及第二组CD值包括经选择以均衡在散射测量检验过程期间从所述第一及第二层两者中的所述第一及第二光栅所测量的信号的振幅的CD值子组。
9.一种用于检验半导体叠盖目标的检验设备,其包括:
至少一散射测量模块,其用于从叠盖目标获得散射测量信号,所述叠盖目标具有:多个第一光栅结构,其具有可由所述检验设备分辨的粗略间距;及多个第二光栅结构,其相对于所述第一光栅结构而定位,其中所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距,其中所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间,且其中所述第一及第二光栅的工作循环以对应于所述粗略间距的大小的周期性而改变;及
处理器,其经配置以分析所述所获得散射测量信号以借此确定此些目标内的叠盖误差。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述散射测量模块包括:
照射模块,其经定向以使辐射跨越所述叠盖目标而扫描,其中所述照射模块包括物镜及定位于所述物镜与所述叠盖目标之间的固态浸没透镜;及
一或多个检测器,其经定向以检测已响应于跨越所述叠盖目标扫描的所述辐射而从所述叠盖目标散射的所述散射测量信号。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述固态浸没透镜为具有平面前表面的消球差透镜。
12.一种制造半导体目标的方法,所述半导体目标用于检测衬底的两个或两个以上连续层之间或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的叠盖误差,所述方法包括:
形成具有可由检验工具分辨的粗略间距的多个第一光栅结构;及
形成相对于所述第一光栅结构而定位的多个第二光栅结构,其中所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距,其中所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间,
其中所述第一及第二光栅的工作循环以对应于所述粗略间距的大小的周期性而改变。
13.根据权利要求12所述的方法,其中将所述第二光栅结构布置于每一对第一光栅结构之间,使得所述第一及第二光栅结构的多个空间遵守预定义设计规则规格而所述粗略间距在不具有所述第二光栅结构的情况下将不遵守所述预定义设计规则规格。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造