[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的栅电极和电容线；

所述衬底、所述栅电极和所述电容线上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；

所述第三绝缘膜上的透光像素电极；

晶体管，包括：

所述栅电极；

所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及

所述第一绝缘膜上且重叠于所述栅电极的半导体膜，该半导体膜电连接于所述像素电极；以及

电容器，包括：

所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的能够导电的透光膜；

所述第一电容电极上的用作电容器的介电膜的所述第三绝缘膜；以及

所述电容器的介电膜上的用作第二电容电极的所述像素电极，

其中所述第一、第二和第三绝缘膜与所述半导体膜重叠，

包含所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的叠层夹在所述电容线和所述像素电极之间，且

在与所述第一和所述第二电容电极完全重叠的区域中不提供所述第二绝缘膜，且所述第三绝缘膜在所述第一电容电极上并与所述第一电容电极直接接触。

2.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的栅电极和电容线；

所述衬底、所述栅电极和所述电容线上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；

所述第三绝缘膜上的透光像素电极；

晶体管，包括：

所述栅电极；

所述栅电极上的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜；以及

所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上且重叠于所述栅电极的半导体膜，该半导体膜电连接于所述像素电极；以及

电容器，包括：

所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的能够导电的透光膜；

所述第一电容电极上的用作电容器的介电膜的所述第三绝缘膜；以及

所述电容器的介电膜上的用作第二电容电极的所述像素电极，

其中所述第一、第二和第三绝缘膜与所述半导体膜重叠，

包含所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的叠层夹在所述电容线和所述像素电极之间，且

在与所述第一和所述第二电容电极完全重叠的区域中不提供所述第二绝缘膜，且所述第三绝缘膜在所述第一电容电极上并与所述第一电容电极直接接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一电容电极及所述半导体膜使用同一的膜形成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一电容电极及所述半导体膜使用金属氧化物膜形成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述第一电容电极及所述半导体膜使用金属氧化物膜形成，

并且所述第一电容电极还包含浓度高于1×10¹⁹原子/cm³且1×10²²原子/cm³以下的掺杂剂。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中所述能够导电的透光膜包含半导体材料，

并且当使用所述半导体装置时，施加到所述电容线的电位始终比施加到所述像素电极的电位低所述电容器的阈值电压以上。