[发明专利]晶片的处理方法

说明书

本发明的目的在于，提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，该工序是借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂；晶片处理工序，该工序是对固定于所述支承板的晶片实施处理的工序；以及支承板剥离工序，该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气体发生剂产生气体，从而将支承板从晶片上剥离的工序，其中，在所述支承板剥离工序中，使用照射强度为100mW/cm2以上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进行照射。

技术领域

本发明涉及在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。

背景技术

在半导体芯片的制造工序中，为了在晶片的加工时易于操作或不发生破损而将晶片固定于支承板。例如，在将从高纯度的硅单晶等切下的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下，借助胶粘剂组合物将厚膜晶片粘接于支承板。

对于将晶片粘接于支承板的胶粘剂组合物来说，要求在加工工序中将晶片尽可能牢固地固定的高粘合性，并且要求在工序结束后能够将晶片剥离而不会损伤晶片(以下，也称为“高粘接易剥离”。)。

作为实现了高粘接易剥离的胶粘剂组合物，专利文献1中记载了一种使用了双面粘合带的晶片的处理方法，所述双面粘合带具有含有偶氮化合物等通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂的粘合层。在专利文献1所记载的晶片的处理方法中，首先，借助双面粘合带将晶片固定于支承板。当在该状态下进行了磨削工序等之后照射紫外线时，由气体发生剂产生的气体被释放至粘合带的表面与晶片的界面，晶片的至少一部分因气体的压力而被剥离。

专利文献1中记载的晶片的处理方法能够以不损伤处理后的晶片且不发生残胶的方式进行剥离，因此是极为优异的方法。但是，由于半导体装置的逐渐普及，而需要持续不断对晶片的处理方法作进一步的改良。专利文献1中记载的晶片的处理方法如今在生产效率方面已感觉无法令人满意。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-231872号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于上述现状而完成，其目的在于提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。

用于解决课题的方法

本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，该工序是借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂；晶片处理工序，该工序是对固定于所述支承板的晶片实施处理的工序；以及支承板剥离工序，该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气体发生剂产生气体，从而将支承板从晶片上剥离的工序，其中，在所述支承板剥离工序中，使用照射强度为100mW/cm2以上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进行照射。

以下，详述本发明。

本申请的发明人就专利文献1中记载的晶片的处理方法的整体而对生产效率进行了再次研究。并且发现：对处理后的晶片照射紫外线而使气体发生剂产生气体，从而将支承板从晶片上剥离的工序限制了速率。即，从开始照射紫外线至能够将晶片和支承板剥离为止耗费时间，由此对整体的生产效率带来影响。