[发明专利]使用与有机硅流体接触的至少一个膜分离气体的方法有效

专利信息
申请号: 201380041792.0 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN104661726B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: D·安;亚历山德拉·N·利克特;詹姆斯·S·赫拉巴尔;亚伦·J·格雷纳 申请(专利权)人: 道康宁公司
主分类号: B01D53/14 分类号: B01D53/14;B01D53/22;B01D53/26;B01D53/62
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 有机硅 流体 接触 至少 一个 分离 气体 方法
【权利要求书】:

1.一种从混合物中移除气体的方法,所述方法包括:

将第一致密硅酮膜的第一侧与进料混合物接触,其中所述第一致密硅酮膜为自支撑膜,所述进料混合物包含第一气体组分,且包含第二气体组分和第一液体组分中的至少一种;以及

将所述膜的第二侧与包含有机硅流体的扫描液体接触,以在所述膜的所述第二侧上产生渗透混合物并在所述膜的所述第一侧上产生渗余混合物,其中所述有机硅流体为有机聚硅氧烷,其中所述渗透混合物富含所述第一气体组分,而所述渗余混合物贫乏所述第一气体组分。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一致密硅酮膜为无孔硅酮膜。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中所述第一致密硅酮膜为包含一束中空纤维的中空纤维膜模块,其中所述纤维全体具有孔侧和壳侧,其中包括以下至少一者

所述中空纤维膜的第一侧为所述孔侧而所述中空纤维膜的第二侧为所述壳侧,以及

所述中空纤维膜的第一侧为所述壳侧而所述中空纤维膜的第二侧为所述孔侧。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中所述有机硅流体包含至少一个硅键合的羟基基团、至少一个硅键合的醚、至少一个硅键合的聚醚或其组合。

5.根据权利要求3所述的方法,其中所述有机硅流体包含至少一个硅键合的羟基基团、至少一个硅键合的醚、至少一个硅键合的聚醚或其组合。

6.根据权利要求4所述的方法,其中所述硅键合的羟基基团、硅键合的醚或至少一个硅键合的聚醚键合到非末端硅。

7.根据权利要求5所述的方法,其中所述硅键合的羟基基团、硅键合的醚或至少一个硅键合的聚醚键合到非末端硅。

8.根据权利要求1-2和5-7中任一项所述的方法,其中所述进料气体混合物包含水蒸汽而所述渗透气体混合物富含水蒸汽。

9.根据权利要求3所述的方法,其中所述进料气体混合物包含水蒸汽而所述渗透气体混合物富含水蒸汽。

10.根据权利要求4所述的方法,其中所述进料气体混合物包含水蒸汽而所述渗透气体混合物富含水蒸汽。

11.一种从混合物中移除气体的方法,所述方法包括:

将第一致密硅酮膜的第一侧与进料混合物接触,所述进料混合物包含第一气体组分,且包含第二气体组分和第一液体组分中的至少一种;以及

将所述膜的第二侧与包含有机硅流体的扫描液体接触,以在所述膜的所述第二侧上产生渗透混合物并在所述膜的所述第一侧上产生渗余混合物,其中所述有机硅流体包含至少一种有机硅,所述有机硅含有至少一种以下基团:羟基基团、醚基团、丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、丙烯酰胺基团、甲基丙烯酰胺基团和聚醚基团,其中所述渗透混合物富含所述第一气体组分,而所述渗余混合物贫乏所述第一气体组分。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一致密硅酮膜为包含一束中空纤维的中空纤维膜模块,其中所述纤维全体具有孔侧和壳侧,其中包括以下至少一者

所述中空纤维膜的第一侧为所述孔侧而所述中空纤维膜的第二侧为所述壳侧,以及

所述中空纤维膜的第一侧为所述壳侧而所述中空纤维膜的第二侧为所述孔侧。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述有机硅流体包含有机硅氧烷和有机硅烷中的至少一种。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述有机硅流体包含至少一个硅键合的羟基基团、至少一个硅键合的醚、至少一个硅键合的聚醚、或其组合。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述硅键合的羟基基团、硅键合的醚或至少一个硅键合的聚醚键合到非末端硅。

16.根据权利要求11所述的方法,其中所述进料混合物包含二氧化碳,且包含氮气和甲烷中的至少一种,而所述渗透混合物富含二氧化碳。

17.根据权利要求11所述的方法,其中所述进料混合物包含水蒸汽而所述渗透混合物富含水蒸汽,或其中所述第一致密硅酮膜为自支撑膜。

18.一种从液体中移除气体的方法,所述方法包括:

将第一致密硅酮膜的第一侧与气态料流接触;以及

将所述膜的第二侧与包含有机硅流体的液体接触,所述有机硅流体包含第一气体组分和至少一种有机硅,所述有机硅含有至少一种以下基团:羟基基团、醚基团、丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、丙烯酰胺基团、甲基丙烯酰胺基团和聚醚基团,以在所述膜的所述第一侧上产生气态渗透混合物并在所述膜的所述第二侧上产生渗余有机硅流体,其中所述渗透混合物富含所述第一气体组分,而所述渗余有机硅流体贫乏所述第一气体组分。

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