[发明专利]阻隔膜、阻隔膜的制备方法以及包括阻隔膜的制品有效
申请号: | 201380041879.8 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN104768758B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | J·C·斯帕格诺拉;M·A·勒里格;T·P·科伦;A·K·纳赫蒂加尔;J·K·施诺布里奇;G·D·乔利 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | B32B27/30 | 分类号: | B32B27/30;B32B33/00;B05D3/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈长会 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻隔 制备 方法 以及 包括 制品 | ||
1.一种阻隔膜,所述阻隔膜包括:
基底;
在所述基底的主表面上的第一聚合物层;
在所述第一聚合物层上的氧化物层;和
在所述氧化物层上的第二聚合物层,
其中所述第一聚合物层或所述第二聚合物层中的至少一个包含具有至少两个独立地选择的硅烷基团的仲氨基或叔氨基官能化硅烷的硅氧烷反应产物,其中所述仲氨基或叔氨基官能化硅烷不是双-(γ-三乙氧基甲硅烷基丙基)胺。
2.根据权利要求1所述的阻隔膜,其中所述仲氨基或叔氨基官能化硅烷由下式表示:
(R3)2N-R1-[Si(Y)p(R2)3-p]
其中
R1为任选地插入有一个或多个-O-基团或最多至三个-NR3-基团的多价亚烷基基团;
R2为烷基、芳基亚烷基基或-R1-[Si(Y)p(R2)3-p];
每个R3独立地为氢、烷基、芳基亚烷基基或-R1-[Si(Y)p(R2)3-p];
Y为烷氧基、乙酰氧基、芳氧基或卤素;并且
p为1、2或3;
前提条件是存在至少两个独立地选择的-Si(Y)p(R2)3-p基团,并且两个R3基团可均不是氢。
3.根据权利要求2所述的阻隔膜,其中一个R3为烷基或氢,并且另一个R3为-R1-[Si(Y)p(R2)3-p]。
4.根据权利要求2所述的阻隔膜,其中所述仲氨基或叔氨基官能化硅烷为双(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)胺、N-甲基-双(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)胺或N,N’-双[3-三甲氧基甲硅烷基丙基]-乙二胺。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的阻隔膜,其中在所述至少两个独立地选择的硅烷基团中,Y为甲氧基、乙酰氧基或氯,并且p为3。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的阻隔膜,其中至少所述第二聚合物层包含所述硅氧烷反应产物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阻隔膜,其中所述阻隔膜包括在所述第一聚合物层上的多个交替的氧化物层和第二聚合物层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阻隔膜,其中所述基底包含下列中的至少一种:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚芳基砜、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、乙烯-四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物或聚偏二氟乙烯,它们中的任一种可任选地为热稳定的。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的阻隔膜,其中所述第一聚合物层或所述第二聚合物层中的至少一个包含聚合的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
10.根据权利要求9所述的阻隔膜,其中所述丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯为三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、3-(丙烯酰氧基)-2-羟基-丙基甲基丙烯酸酯、三丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、二丙烯酸甘油酯、乙氧基化三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、丙氧基化(3)甘油基二丙烯酸酯、丙氧基化(5,5)甘油基二丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯或它们的组合。
11.一种阻隔组件,所述阻隔组件包括权利要求1至10中任一项所述的阻隔膜,其中所述阻隔膜的主表面用压敏粘合剂粘附至顶部片材,其中所述顶部片材包含乙烯-四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物或聚偏二氟乙烯中的至少一种。
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