[发明专利]晶片的处理方法有效
| 申请号： | 201380042206.4 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104520974A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 麻生隆浩;利根川亨;上田洸造;薮口博秀 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J5/00;C09J11/06;C09J157/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片的处理方法，其特征在于，具有：
支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的胶粘剂成分；
胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；
晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和
支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。
2.根据权利要求1所述的晶片的处理方法，其特征在于，利用动态粘弹性测定的剪切模式且在从-50℃至300℃的连续升温的条件下所测得的、胶粘剂固化工序后的胶粘剂组合物在25℃下的剪切储能模量为2.0×105～108Pa。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其特征在于，胶粘剂组合物含有通过刺激而产生气体的气体发生剂，其中，在支承板剥离工序中，对处理后的晶片赋予刺激而由所述气体发生剂产生气体，由此，将支承板从晶片剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
