[发明专利]光电子半导体构件、转换介质小板和用于制造转换介质小板的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体构件(1)，具有：

-至少一个光电子半导体芯片(3)，以用于产生初级辐射；和

-转换介质小板(4)，所述转换介质小板安置在所述半导体芯片(3)的辐射主侧(30)上并且所述转换介质小板构建成用于将所述初级辐射至少部分地转换成次级辐射，其中

-所述转换介质小板(4)包括基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)，

-所述转换介质小板(4)具有第一转换层(41a)，所述第一转换层距所述半导体芯片(3)最近，其中在所述第一转换层(41a)中的转换介质颗粒(43)单独地或者与可选的扩散介质颗粒(45)一起以至少50％的体积份额存在，

-所述转换介质小板(4)包括结合层(41c)，所述结合层距所述半导体芯片(3)最远，并且在所述结合层中的转换介质颗粒(43)具有最高2.5％的体积份额，

-所述转换介质小板(4)具有设置在所述第一转换层和所述结合层之间的另一转换层(41b)，

-所述第一转换层(41a)包括用于产生较长波长辐射的第一转换介质颗粒(43a)，

-所述另一转换层(41b)包括用于产生较短波长辐射的第二转换介质颗粒(43b)，

-所述第一转换介质颗粒(43a)具有比所述第二转换介质颗粒(43b)更小的平均直径，并且

-所述第一转换层(41a)具有比所述另一转换层(41b)更高的转换介质颗粒浓度。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体构件(1)，其中

所述第一转换介质颗粒和第二转换介质颗粒单独地或与所述扩散介质颗粒一起分别紧密封装地存在。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换层(41a，41b)和所述结合层(41c)分别具有基体材料，所述转换介质颗粒(43)嵌入到所述基体材料中，其中所述基体材料是硅树脂、环氧化物或硅树脂-环氧化物杂化材料。

4.根据权利要求1所述的光电子半导体构件(1)，其中

-所述第一转换层(41a)包括用于产生红光的所述第一转换介质颗粒(43a)，

-所述另一转换层(41b)包括用于产生绿光的所述第二转换介质颗粒(43b)。

5.根据权利要求1所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换层(41a，41b)和所述结合层(41c)直接相继并且所述第一转换介质颗粒(43a)具有0.5μm和5.0μm之间的平均直径，并且所述第二转换介质颗粒(43b)具有5μm和25μm之间的平均直径，其中包括边界值。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体构件(1)，所述光电子半导体构件还包括具有载体上侧(20)的载体(2)，其中

-所述半导体芯片(3)安置在所述载体上侧(20)上，和

-所述转换介质小板(4)与所述载体(2)间隔开。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质颗粒(43)至少部分地相互接触，使得在所述转换介质颗粒(43)之间局部地不存在基体材料(42)。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质小板(4)具有30μm和300μm之间的厚度，其中包括边界值，其中所述结合层(41c)共计占所述转换介质小板(4)的厚度的份额的至少70％。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中在所述结合层(41c)和直接邻接的所述转换层(41a，41b)之间的过渡区域具有所述转换层(41a，41b)的所述转换介质颗粒的最高1.5倍的平均直径的厚度。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中

-更靠近所述半导体芯片(3)的所述转换层(41a)也包括出自所述另一转换层(41b)的转换介质颗粒(43b)，和

-所述另一转换层(41b)不具有出自更靠近所述半导体芯片(3)的所述转换层(41a)的转换介质颗粒(43a)。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质小板(4)局限于所述辐射主侧(30)并且横向地不超出所述半导体芯片(3)。