[发明专利]自旋极化晶体管元件

权利要求书

1.一种自旋极化晶体管元件，具备：

源极部，由在第1方向被磁化的强磁性体构成；

漏极部，与所述源极部分离地并列设置且由在所述第1方向被磁化的强磁性体构成；

通道部，配置于所述源极部与所述漏极部之间，且直接或经由隧道层接合于所述源极部及所述漏极部；及

圆偏振光照射部，朝所述通道部照射用于控制所述通道部的自旋方向的圆偏振光，

所述源极部及所述漏极部的厚度为超过所述圆偏振光的进入长度的厚度。

2.如权利要求1所述的自旋极化晶体管元件，其中，

所述通道部由半导体材料形成，且所述圆偏振光照射部朝所述通道部照射具有相当于所述通道部的能带隙能量以上的能量的波长的圆偏振光。

3.如权利要求2所述的自旋极化晶体管元件，其中，

所述通道部由砷化镓(GaAs)形成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的自旋极化晶体管元件，其中，

所述圆偏振光照射部朝沿着所述第1方向的方向照射圆偏振光。

5.如权利要求4所述的自旋极化晶体管元件，其中，

具备基板，所述源极部与所述漏极部形成于所述基板上，所述第1方向为垂直于基板的方向，且所述圆偏振光照射部朝沿着所述第1方向的方向照射圆偏振光。

6.如权利要求1～3中任一项所述的自旋极化晶体管元件，其中，

具备基板，所述源极部与所述漏极部形成于所述基板上，所述第1方向为基板面内方向，且所述圆偏振光照射部以朝向所述通道部的圆偏振光的进入角度为小于90度的角度的方式照射圆偏振光。

7.如权利要求1～3中任一项所述的自旋极化晶体管元件，其中，

所述通道部具有二维电子气体层。

8.如权利要求1所述的自旋极化晶体管元件，其中，

所述源极部及所述漏极部的厚度比所述通道部的厚度更厚。

9.一种自旋极化晶体管元件，具备：

第1源极部，由在第1方向被磁化的强磁性体构成；

第1漏极部，与所述第1源极部分离地并列设置且由在所述第1方向被磁化的强磁性体构成；

第1通道部，配置于所述第1源极部与所述第1漏极部之间，且直接或经由隧道层接合于所述第1源极部及所述第1漏极部；

第2源极部，由在第2方向被磁化的强磁性体构成；

第2漏极部，与所述第2源极部分离地并列设置且由在所述第2方向被磁化的强磁性体构成；

第2通道部，配置于所述第2源极部与所述第2漏极部之间，且直接或经由隧道层接合于所述第2源极部及所述第2漏极部；及

圆偏振光照射部，朝所述第1通道部及所述第2通道部照射用于控制所述第1通道部及所述第2通道部的自旋方向的圆偏振光，

所述第1源极部及所述第2源极部以及所述第1漏极部及所述第2漏极部的厚度为超过所述圆偏振光的进入长度的厚度。

10.如权利要求9所述的自旋极化晶体管元件，其中，

具备：

第1圆偏振光照射部，为了控制构成所述第1通道部的物质内的自旋而照射圆偏振光；及

第2圆偏振光照射部，为了控制构成所述第2通道部的物质内的自旋而照射圆偏振光。

11.如权利要求9所述的自旋极化晶体管元件，其中，

所述第1源极部及所述第1漏极部的厚度比所述第1通道部的厚度更厚，

所述第2源极部及所述第2漏极部的厚度比所述第2通道部的厚度更厚。