[发明专利]含有磺化聚苯砜的复合膜及其在正向渗透方法中的用途在审
申请号: | 201380042746.2 | 申请日: | 2013-06-13 |
公开(公告)号: | CN104540580A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | M·韦伯;C·马莱茨科;B·特罗特;N·维佐约;泰-尚·钟 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司;新加坡国立大学 |
主分类号: | B01D69/12 | 分类号: | B01D69/12;B01D69/10;B01D71/68;B01D71/78;B01D71/80 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 侯婧;钟守期 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 磺化 聚苯砜 复合 及其 正向 渗透 方法 中的 用途 | ||
1.复合膜,包括:
a)至少一个基底层(S),包含:
至少一种磺化聚苯砜P1,其包含1至10mol%的含有至少一个磺酸基团的重复单元,基于聚合物P1的总量计;
b)至少一个含有至少一种聚酰胺的膜层(F)。
2.权利要求1的复合膜,其中至少一种磺化聚苯砜P1含有以下式(1)的重复单元:
其中
R1为C=O或-SO2-;
Ar为具有10至20个芳环碳原子的二价芳族基团,其中芳族基团任选地被一个或多个选自C1-C12-烷基、C6-C18-芳基、C1-C12-烷氧基、卤素和磺酸基团的基团所取代。
3.权利要求1或2中任一项的复合膜,其中至少一种磺化聚苯砜P1含有以下式(2)的重复单元:
其中:
R1为-SO2-;以及
Ar为式(3)的联苯基团
所述联苯基团任选地被一个或多个选自C1-C12-烷基、C6-C18-芳基、C1-C12-烷氧基、卤素和磺酸基团的基团所取代;
其中如式(2)所示的重复单元的芳环可进一步具有一个或多个相同的或不同的选自C1-C12-烷基、C6-C18-芳基、C1-C12-烷氧基、卤素和磺酸基团的取代基;
并且其中1至10mol%的重复单元含有至少一个磺酸基团,基于聚合物P1的总量计。
4.权利要求1至3中任一项的复合膜,其中至少一种磺化聚苯砜P1含有
至少一个如式(4)的非磺化重复单元
以及至少一个如式(5)的磺化重复单元
其中
a和b彼此独立地为0至4的整数,条件为a+b不为0。
5.权利要求1至4中任一项的复合膜,其中至少一种聚苯砜P1可通过至少一种非磺化单体和至少一种磺化单体的聚合而得到。
6.权利要求1至5中任一项的复合膜,其中至少一种聚苯砜P1可由以下单体聚合而得到
i)至少一种通式M1a和/或M2a的非磺化单体
HO-Ar-OH (M2a)
其中
Ar为具有10至20个芳环碳原子的二价芳族基团,其中芳族基团任选地被一个或多个选自C1-C12-烷基、C6-C18-芳基、C1-C12-烷氧基和卤素的基团所取代;
Hal为F、Cl、Br或J;
以及
ii)至少一种通式M1b和/或M2b的磺化单体
其中
Ar为具有10至20个芳环碳原子的二价芳族基团,其中芳族基团任选地被一个或多个选自C1-C12-烷基、C6-C18-芳基、C1-C12-烷氧基和卤素的基团所取代;
Hal为F、Cl、Br或J;
a、b和c彼此独立地为0至4的整数,条件是a+b+c不为0。
7.权利要求1至6中任一项的复合膜,其中至少一种聚酰胺为聚间苯二甲酰间苯二胺(MPIA)和/或聚对苯二甲酰对苯二胺(PPTA)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司;新加坡国立大学;,未经巴斯夫欧洲公司;新加坡国立大学;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380042746.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电阻焊管焊接装置
- 下一篇:触觉事件到屏幕事件的转换