[发明专利]图像捕捉装置

权利要求书

1.一种x射线发射装置，该x射线发射装置包括由至少一个间隔件分隔开的电子接收构件和电子发射构件，该至少一个间隔件被定位成使得所述电子接收构件与所述电子发射构件之间存在内部间隙；

所述电子接收构件包括阳极，所述阳极为x射线靶；并且

所述电子发射构件包括：

(a)背板；

(b)基板；

(c)阴极；

(d)以阵列排布的多个场发射型电子源，其中，所述场发射型电子源被构造成朝向所述阳极发射电子束；

(e)栅极；以及

(f)至少一个栅极支撑结构，该至少一个栅极支撑结构被构造成以与所述阴极隔开所需的阴极-栅极间隔来支撑所述栅极，

其中，所述内部间隙在所述电子发射构件与所述电子接收构件之间提供无障碍空间，

其中，所述多个场发射型电子源以具有规则电子源间距的阵列排列，其中以规则间隔漏掉电子源，

其中，所述栅极支撑结构包括多个支撑柱，

其中，所述支撑柱设置在所述阵列中漏掉了所述场发射型电子源的位置。

2.根据权利要求1所述的x射线发射装置，其中，所述阳极包括由钼、铑和钨组成的组中的一种或更多种。

3.根据权利要求1所述的x射线发射装置，其中，所述电子发射构件不包括网格电极。

4.根据权利要求1所述的x射线发射装置，其中，所述电子发射构件还包括以阵列排布的多个第一会聚结构，各个所述第一会聚结构包括第一会聚电极。

5.根据权利要求4所述的x射线发射装置，其中，所述第一会聚结构围绕包括所述场发射型电子源的子集在内的单位单元，所述单位单元限定了发射器区域。

6.根据权利要求5所述的x射线发射装置，其中，所述电子发射构件包括第二会聚结构的阵列，该第二会聚结构包括第二会聚电极。

7.根据权利要求1所述的x射线发射装置，其中，所述场发射型电子源为斯宾特型电子源。

8.根据权利要求1所述的x射线发射装置，其中，所述基板是硅基的。

9.根据权利要求6所述的x射线发射装置，其中，选自由所述阴极、信号线、所述场发射型电子源、所述第一会聚结构、所述第一会聚电极、所述第二会聚结构、所述第二会聚电极及其任意组合组成的组的至少一个元件与所述基板集成为一体。

10.根据权利要求1所述的x射线发射装置，其中，所述电子接收构件还包括准直器。

11.根据权利要求1所述的x射线发射装置，该x射线发射装置还包括位于所述场发射型电子源的阵列与所述阴极之间的分层电阻层。

12.根据权利要求11所述的x射线发射装置，所述分层电阻层至少包括最靠近所述场发射型电子源的近端电阻器层、和较远离所述场发射型电子源的远端电阻器层，所述近端电阻器层包括具有第一特征电阻率的第一电阻材料并且所述远端电阻器层包括具有第二特征电阻率的第二电阻材料，其中，所述第一特征电阻率大于所述第二特征电阻率。

13.根据权利要求12所述的x射线发射装置，所述分层电阻层包括近端电阻器层与远端电阻器层之间的至少一个中间电阻器层，所述至少一个中间电阻器层至少包括第三电阻材料，该第三电阻材料具有在所述第一特征电阻率与所述第二特征电阻率之间的特征电阻率。

14.根据权利要求12或权利要求13所述的x射线发射装置，其中，所述近端电阻器层包括SiOCN。

15.根据权利要求12或权利要求13所述的x射线发射装置，其中，所述远端电阻器层包括Si。

16.根据权利要求12或权利要求13所述的x射线发射装置，其中，所述远端电阻器层包括碳化硅晶片。

17.根据权利要求13所述的x射线发射装置，其中，所述中间电阻器层包括非晶硅碳氮化物膜。

18.根据权利要求11所述的x射线发射装置，所述分层电阻层包括包含电阻材料的至少一个电阻层、和第一屏障层，该第一屏障层插入在所述电阻材料与所述阴极之间。