[发明专利]用于金属化半导体元件背面的基于激光的方法和加工台

权利要求书

1.一种将半导体元件(1)的背面(5)金属化的方法，该半导体元件(1)是光伏太阳能电池的一部分或者是在光伏太阳能电池的制造工艺中的前体，该方法包括以下方法步骤：

A、将至少一个至少单层的金属箔膜(7)施加到该半导体元件(1)的背面(5)；

B、按如下方式局部加热至少该金属箔膜(7)，即在局部区域短时间地实现该金属箔膜(7)的熔化，

其特征是，在该金属箔膜(7)和该半导体元件(1)的背面(5)之间至少在局部形成空隙(8)，该空隙(8)填充有填料，该填料具有小于1.4的光学折射率n。

2.根据权利要求1的方法，其特征是，作为填料采用气体，优选是空气或惰性气体，尤其优选是稀有气体；或者采用胶作为填料。

3.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在方法步骤B中，该空隙(8)由金属箔膜(7)、该半导体元件(1)的背面(5)和熔化的区域来界定，尤其是至少一个熔化的区域绕该空隙(8)环绕构成，优选该熔化的区域不间断地沿着该半导体元件(1)的一个外边缘且优选沿着所有外边缘延伸。

4.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在方法步骤B中采用激光用于熔化。

5.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在方法步骤B中，在熔化过程中，在该金属箔膜(7)中同时至少产生预定断裂点。

6.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在一个附加的方法步骤C中，在该金属箔膜(7)中至少产生预定断裂点，优选该金属箔膜(7)在方法步骤C的熔化区域处被分断。

7.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在方法步骤A-a中，该金属箔膜(7)通过局部加热以点的方式被固定在该半导体元件上，并且在方法步骤B之前的一个附加的方法步骤A-b中，主动将填料且尤其是气体优选是空气引入该半导体元件(1)和金属箔膜(7)之间。

8.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，该半导体元件(1)的背面(5)在方法步骤A之前的方法步骤A0中被结构化，优选利用纳米压印法和/或干化学法和/或湿化学法和/或印刷法和/或光刻蚀法。

9.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，该空隙(8)被构造成具有在10nm至1μm之间、优选是在10nm至100nm之间的平均厚度。

10.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在方法步骤A中，金属箔膜(22)是结构化的金属箔膜。

11.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在方法步骤A中，金属箔膜(7)是介电涂覆箔膜，优选该介电层被构造成具有在5nm至500nm之间、优选在20nm至200nm之间的厚度。

12.一种光伏太阳能电池，其包括至少一个半导体层(2)、在该半导体层的一侧上的至少一个中间层(4)和至少一个金属箔膜(7)，其特征是，该光伏太阳能电池在该金属箔膜(7)和该半导体元件(1)的背面(5)之间至少在局部具有填充有填料的空隙(8)，该填料具有小于1.4的光学折射率。

13.一种加工台，尤其用于执行根据前述权利要求1至11之一的方法，该加工台(14)具有用于半导体元件(1)的放置区(15)、用于金属箔膜的至少一个固定区(15)和至少一个吹气口(18)，该吹气口(18)与吹气通道(20)相连并且布置在该固定区(15)和该放置区(15)之间。

14.根据权利要求13的加工台，其特征是，该固定区(15)关于该放置区(15)是环绕且优选呈抽吸槽形式构成的，该抽吸槽与抽吸通道(19)相连。

15.根据权利要求13或14的加工台，其特征是，该放置区(15)按如下方式呈内凹状构成，即在半导体元件(1)被置入该内凹中时，该半导体元件(1)和该加工台(14)的与该半导体元件侧面邻接的表面构成一个平面。