[发明专利]锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法有效
申请号: | 201380043627.9 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104619644A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 李太熙;李源镐;权炳宽 | 申请(专利权)人: | 奥瑟亚新材料股份有限公司 |
主分类号: | C01G17/00 | 分类号: | C01G17/00;C01B6/00;B01J19/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;韩明花 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 制备 装置 利用 单锗烷 方法 | ||
1.一种单锗烷气体制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
分别向第一通道和第二通道中注入包含二氧化锗与碱金属氢化物的反应原料碱性水溶液和酸性水溶液;
在连接于该第一通道和第二通道的一端的第三通道中,混合注入的反应原料碱性水溶液与酸性水溶液,并使其反应以产生单锗烷气体和反应溶液:以及
将产生的单锗烷气体和反应溶液排放至该第三通道的外部,
其中,该第三通道中所产生的反应热被相邻于该第三通道而布置的制冷剂循环单元中循环的制冷剂所吸收。
2.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该第三通道为微通道。
3.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该第三通道包含:
主通道;
多个突出部,在该主通道的一侧面平行地突出而形成。
4.如权利要求3所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该多个突出部相对于该主通道具有锐角,且朝一个方向突出。
5.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该第三通道的温度维持在0℃至50℃。
6.如权利要求5所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该第三通道的温度通过调节从制冷剂的流量、制冷剂的温度、以及反应原料碱性水浚液或酸性水溶液的流速中选择的至少一种而加以控制。
7.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该第三通道中所产生的反应热被传导至包围该第三通道的第一金属块,传导至该第一金属块的反应热被传导至与该第一金属块接触的第二金属块,传导至该第二金属块的反应热被传导至被第二金属块包围的制冷剂循环单元,而且,传导至制冷剂循环单元的反应热被循环于该制冷剂循环单元中的制冷剂所吸收。
8.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该第三通道的数量为一个以上,该一个以上的第三通道以并联方式连接,且该碱性水溶液和酸性水溶液被分别注入到该一个以上的第三通道中,以在该一个以上的第三通道中产生单锗烷气体。
9.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该碱金属氢化物为NaBH4。
10.如权利要求1所述的单锗烷气体制备方法,其特征在于,该酸性水溶液包括无机酸或有机酸,该无机酸是从由硫酸和磷酸组成的组中选择的一种以上的无机酸,该有机酸是从由醋酸和丙酸组成的组中选择的一种以上的有机酸。
11.一种锗烷气体制备装置,其特征在于,包含:
第一通道,供反应原料碱性水溶液注入:
第二通道,供酸性水溶液注入;
第三通道,连接于该第一通道和第二通道的一端,用于将碱性水溶液与酸性水溶液进行混合,并使其反应以产生单锗烷气体和反应溶液;
排出口,供该第三通道中产生的单锗烷气体和反应溶液排放;以及
制冷剂循环单元,相邻于该第三通道而布置,用于注入和排放制冷剂,并吸收在该第三通道中产生的反应热。
12.如权利要求11所述的锗烷气体制备装置,其特征在于,该第三通道为微通道。
13.如权利要求11所述的锗烷气体制备装置,其特征在于,该第三通道与该制冷剂循环单元被彼此间隔而布置,该第三通道被第一金属块包围,该制冷剂循环单元被第二金属块包围,且该第一金属块与该第二金属块被布置为彼此接触。
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