[发明专利]用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法

权利要求书

1.用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法，包括：

对材料进行激励，以使所述材料发出发光信号；

在所述材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于所述材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测所述发光信号；

在所述材料的所述预设空间区域中所述网格的每个点处，从对所述网格的所述点检测的信号中，估算出随所述偏振角而变的、由正弦波之和建模的所述发光信号的差变的特征数据；

在所述预设空间区域中所述网格的所有点上生成所述特征数据的表示；以及

根据所述特征数据的表示分离出所述材料的至少一种结构属性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，差变发光信号的模型为以下形式：其中，Ilum表示所述发光信号的强度，Ak是所述发光信号的幅值参数，θ代表所述发光信号的偏振分析角，是所述发光信号相对于一相位基准的相移参数，A0是代表所述发光信号的强度的最小值的参数，nk是严格的正整数，k是范围从1到K的自然整数求和标引，其中，估算的特征数据对应于幅值、相移、频率和/或最小值参数，或者对应于它们的组合之一。

3.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述发光信号是利用照相机检测的，所述材料上的所述预设空间区域中的网格被选择成与所述照相机的传感器上的点对应。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述材料进行激励包括用光源对所述材料进行光激励，以使所述材料发出光致发光信号。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述材料进行激励包括用设置在所述材料上的多个电极上的电源对所述材料进行电激励，以使所述材料发出电致发光信号。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述材料进行激励包括用热源加热所述材料，以使所述材料发出热致发光信号。

7.用于分析多晶半导体材料的晶体结构的系统，包括：

用于激励所述材料的装置，其设置成对所述材料进行激励，以使所述材料发出发光信号；

用于检测的装置，其在所述材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于所述材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测所述发光信号；

数据处理单元，包括：

计算机处理器，其可操作地耦连到存储装置以及耦连到输入/输出接口模块，所述存储装置配置成存储为所述网格的每一点检测的信号所对应的数据；

分析器，其由所述计算机处理器执行，且配置成：

在所述材料的所述预设空间区域中所述网格的每个点处，从对所述网格的所述点检测的信号中，估算出随所述偏振角而变的、由正弦波之和建模的所述发光信号的差变的特征数据；

在所述预设空间区域中所述网格的所有点上生成所述特征数据的表示；以及

根据所述特征数据的表示分离出所述材料的至少一种结构属性。

8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述分析器还被配置成根据形式为的差变发光信号的模型估算特征数据，其中，Ilum表示所述发光信号的强度，Ak是所述发光信号的幅值参数，θ代表所述发光信号的偏振分析角，是所述发光信号相对于一相位基准的相移参数，A0代表所述发光信号的强度的最小值的参数，nk是严格的正整数，k是范围从1到K的整数求和标引，其中，估算的特征数据对应于幅值、相移、频率和/或最小值参数，或者对应于它们的组合之一。

9.根据权利要求7或8所述的系统，其中，所述检测装置包括照相机，所述材料上预设空间区域中的网格被选择成与所述照相机的传感器上的点对应。

10.根据权利要求7或8所述的系统，其中，用于激励所述材料的装置包括光源，其被设置成发出光激励信号，以使所述材料发出光致发光信号。