[发明专利]熔断器故障显示

权利要求书

1.一种电路，所述电路用于监测熔断器(1)的跳闸状态的熔断器故障显示，其中，为了显示所述熔断器(1)的跳闸状态设置有发光二极管(2)，所述发光二极管设置在并联于所述熔断器(1)的电流路径中，其中，当所述熔断器(1)未跳闸时，与所述熔断器(1)的电阻相比，所述并联的电流路径具有高电阻，从而经过所述电流路径的电流不足以使所述发光二极管(2)工作，其中，当所述熔断器(1)跳闸时，与所述熔断器(1)的电阻相比，所述并联的电流路径具有低电阻，从而经过所述电流路径的电流足够使所述发光二极管(2)工作，其中，还设置有用于限制经过所述发光二极管(2)的电流的电流限制装置和用于限制所述跳闸的熔断器(1)的电压的电压限制装置，其特征在于，当所述熔断器(1)未跳闸时，为了实现所述并联的电流路径的高电阻，场效应晶体管(3)和电阻(4)串联设置，而且当所述熔断器(1)跳闸时，为了在所述并联的电流路径中建立所述电流限制装置，设置有相同的电阻(4)，从而在含有所述发光二极管(2)的并联电流路径中形成所述场效应晶体管(3)的控制电压，所述场效应晶体管(3)的关闭状态取决于所述控制电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压限制装置具有可调电阻(5)，所述可调电阻设置在另一个并联于所述熔断器(1)的并联电流路径中。

3.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述电压限制装置具有电容器(6)，所述电容器设置在另一个并联于所述熔断器(1)的并联电流路径中。

4.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述电压限制装置具有可调电阻(5)和电容器(6)，优选由所述可调电阻(5)和所述电容器(6)构成，其中，所述可调电阻(5)和所述电容器(6)并联于所述熔断器(1)设置。

5.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述串联电路具有两个额外的二极管(7)，所述两个额外的二极管包围由场效应晶体管(3)、电阻(4)和发光二极管(2)组成的布设。

6.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述发光二极管(2)是光电耦合器(8)的一部分或所述串联电路具有额外的光电耦合器(8)，经所述光电耦合器可以实现与评估电子部件的反馈或耦合。

7.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述场效应晶体管(3)设置为金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)。

8.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述场效应晶体管(3)的源极和漏极之间设置有续流二极管(9)，其中，所述场效应晶体管(3)设置为包含所述续流二极管(9)。

9.根据前述权利要求中任意一项所述的电路，其特征在于，所述电路最多包含一个可调电阻(5)、一个电容器(6)、一个电阻(4)、一个场效应晶体管(3)、一个发光二极管(2)以及多个二极管(7)和一个光电耦合器(8)。

10.一个安全装置(13)，所述安全装置具有根据前述权利要求中任意一项所述的熔断器故障显示。