[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。

背景技术

自使用GaAsP半导体的红色发光二极管(LED)在1962年被商业化以来，连同绿色GaP:N LED，LED成为了众所周知的半导体发光器件，其将电流转换成光并且已经被用作包括信息通信设备在内的电子设备的用于显示图像的光源。

氮化物化合物半导体(诸如氮化稼(GaN))具有高热稳定性和范围从0.8到6.2eV的宽带隙，并且因此已经在用于包括LED在内的高功率输出电子组件器件的开发的领域中受到了大量关注。

氮化稼(GaN)为什么吸引了大量兴趣的原因之一是因为能够通过与诸如铟(In)、铝(Al)等这样的其它元素结合使用GaN来制造发射绿色光、蓝色光和白色光的半导体层。

由于通过使用GaN控制发射波长的能力，可以将发射波长调整至适于依照特定设备的特点使用的材料的固有特性的期望范围。例如，GaN的使用使得能够制造对光学记录有利的蓝色LED和能够替代白炽灯的白色LED。

因此，氮化物半导体在蓝色/绿色激光二极管和发光二极管(LED)的制造中被广泛地用作基底材料。

同时，照惯例，液晶显示(LCD)装置和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示装置被广泛地用作平板显示装置。

然而，LCD装置具有慢响应时间并且消耗由LED器件的背光单元(BLU)的效率的减小所导致的大量电力。AMOLED显示装置具有有机材料的低可靠性，从而将寿命减小至2年或更小，并且具有低生产率。

发明内容

技术问题

设计以解决该问题的本发明的目的在于通过将半导体发光器件实现为子像素来使用半导体发光器件的显示装置。

技术解决方案

能够通过提供使用半导体发光器件的显示装置来实现本发明的目的，所述显示装置包括：基板；多个第一电极，其被布置在所述基板上；各向异性导电膜，其被布置在设置有所述第一电极的所述基板上；多个半导体发光器件，其被布置在所述各向异性导电膜层上，电连接至所述第一电极并且构成单独的像素；以及多个第二电极，其被布置在所述半导体发光器件之间并且电连接至所述半导体发光器件。

所述半导体发光器件可以按照多行被排列(align)，并且所述第二电极可以被布置在所述半导体发光器件的所述行之间。

所述第一电极和所述第二电极可以是条状电极。

所述第二电极可以经由从所述第二电极突出的连接电极电连接至所述半导体发光器件。

所述第一电极和所述第二电极可以被排列为彼此垂直。

所述半导体发光器件中的每一个可以具有长度为50μm或更小的一条边。

还可以在所述半导体发光器件之间布置屏障壁。

所述屏障壁可以包括黑色绝缘材料或白色绝缘材料。

所述显示装置还可以包括波长转换层，所述波长转换层被布置在所述半导体发光器件上。

所述半导体发光器件可以是蓝色半导体发光器件，并且所述波长转换层可以包括构成单独的像素的红色荧光(磷光体)材料和绿色荧光(磷光体)材料。

所述波长转换层还可以包括在所述荧光(磷光体)材料之间布置的黑底(black matrix)。

所述半导体发光器件可以是蓝色半导体发光器件，并且所述波长转换层可以包括构成单独的像素的红色荧光(磷光体)材料、绿色荧光(磷光体)材料和黄色荧光(磷光体)材料。

所述半导体发光器件可以包括红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件和蓝色半导体发光器件。

所述显示装置还可以包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源区域、漏区域、以及在所述源区域与所述漏区域之间布置的栅极并且布置在所述基板与所述第一电极之间。

所述显示装置还可以包括层间绝缘层，所述层间绝缘层被布置在所述基板上以覆盖所述薄膜晶体管。

所述第一电极可以经由穿透所述层间绝缘层的通孔电极电连接至所述薄膜晶体管。

红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以构成一个像素，或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以构成一个像素。