[发明专利]光子计数半导体探测器

权利要求书

1.一种探测装置(10)，包括：

集电极对(2、3)，所述集电极对彼此相对；

半导体(1)，其被放置在所述集电极对之间；

转向电极(5a)，其被定位为毗邻所述集电极对中的一个；以及

所述半导体的掺杂区域，其具有空间调制的掺杂分布，并且被定位于所述转向电极(5a)的至少部分之上并且在所述半导体(1)之内。

2.根据权利要求1所述的探测装置，其中，所述集电极对的第一集电极是阴极(2)，并且所述集电极对的第二集电极是阳极(3)。

3.根据权利要求2所述的探测装置，其中，所述转向电极(5a)是被定位为毗邻所述第二集电极的多个电极(5)。

4.根据权利要求1-3中的一项所述的探测装置，其中，所述掺杂分布包括至少一种掺杂材料的多个掺杂原子。

5.根据权利要求4所述的探测装置，其中，所述多个掺杂原子经由扫描离子束而被植入；其中，所述多个掺杂原子经由通过预先被附着于所述半导体而使得仅转向电极区被覆盖的掩膜的蒸发而生成；或者其中，所述多个掺杂原子经由以下方式被植入：蒸发到预先被附着于所述半导体而使得仅转向电极区被覆盖的掩膜上，并且之后继而加热所述半导体以允许所述多个掺杂原子的局部深入扩散。

6.根据权利要求2-3中的一项所述的探测装置，其中，所述空间调制的掺杂分布允许降低被施加在所述第二集电极与所述转向电极之间的电压差，所述第二集电极与所述转向电极被放置为毗邻于彼此。

7.根据权利要求2-3中的一项所述的探测装置，其中，向所述第二集电极以及向所述转向电极的外部地施加的电势实质上相同。

8.根据权利要求1-3中的一项所述的探测装置，其中，所述空间调制的掺杂分布与所述转向电极(5a)通过电绝缘区域(5b)而被分开。

9.一种辐射探测器(10)，包括：

半导体元件(1)，其用于生成正空穴和电子；

阴极(2)，其被形成在所述半导体元件(1)的第一表面上；

多个分段式阳极(3)，其被形成在所述半导体元件(1)的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对；

至少一个转向电极(5a)，其被定位为毗邻所述多个分段式阳极(3)；以及

多个掺杂原子，其被定位于所述转向电极(5a)的至少部分之上并且在所述半导体元件(1)之内，所述多个掺杂原子具有空间调制的掺杂分布。

10.根据权利要求9所述的辐射探测器，其中，所述多个掺杂原子经由扫描离子束而被植入。

11.根据权利要求9至10中的一项所述的辐射探测器，其中，所述多个掺杂原子经由通过预先被附着于所述半导体以使得仅转向电极区被覆盖的掩膜的蒸发而生成；其中，所述多个掺杂原子通过以下方式而被植入：经由蒸发到预先附着于所述半导体的掩膜上以使得仅转向电极区被覆盖，并且之后继而加热所述半导体以允许所述多个掺杂原子的局部深入扩散；或者其中，所述空间调制的掺杂分布允许降低被施加在所述多个分段式阳极与所述转向电极之间的电压差，所述多个分段式阳极与所述转向电极被放置为毗邻于彼此。

12.根据权利要求9至10中的一项所述的辐射探测器，其中，向所述多个分段式阳极以及向所述转向电极外部地施加的电势实质上相同。

13.根据权利要求9至10中的一项所述的辐射探测器，其中，所述空间调制的掺杂分布与所述转向电极(5a)通过电绝缘区域(5b)而被分开。