[发明专利]第III族氮化物结构

权利要求书

1.一种第III族氮化物结构，包括至少一个具有含至少四条边的底部的结构棱锥，其中所述结构棱锥包括具有含至少四条边的底部的内棱锥，所述内棱锥由第一第III族氮化物制成，其中所述内棱锥覆盖有由第二第III族氮化物制成的内部第一层和由第三第III族氮化物制成的外部第二层，其中所述第二第III族氮化物具有比所述第一第III族氮化物更窄的带隙，和比所述第三第III族氮化物更窄的带隙，

其中所述结构棱锥的所述底部被加长，导致产生至少一个各向异性量子点的上脊部，以及

其中获得与所述各向异性量子点的所述上脊部的方向相关的平行的偏振光。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物结构，其中所述结构棱锥的所述底部在所述加长的方向上的长度比所述结构棱锥的所述底部的宽度长至少0.2μm。

3.根据权利要求2所述的第III族氮化物结构，其中所述结构棱锥的所述底部在所述加长的方向上的长度比所述结构棱锥的所述底部的宽度长至少0.8μm。

4.根据前述权利要求中任一项所述的第III族氮化物结构，其中所述上脊部的宽度等于或小于300nm。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的第III族氮化物结构，其中所述上脊部的长度大于所述上脊部的宽度。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的第III族氮化物结构，其中所述结构棱锥和所述内棱锥的每一个均具有六边形底部。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的第III族氮化物结构，还包括所述第一第III族氮化物的底层，所述底层上设置有所述至少一个结构棱锥。

8.根据权利要求7所述的第III族氮化物结构，其中至少一个结构棱锥的加长的底部的纵向方向取向为所述底层的所述第III族氮化物的方向，或者相对于所述底层的所述第III族氮化物的方向旋转30°、60°、90°、120°、150°或180°。

9.根据权利要求8所述的第III族氮化物结构，其中至少一个结构棱锥的所述加长的底部的纵向方向取向为所述底层的所述第III族氮化物的方向，或相对于所述底层的所述第III族氮化物的方向旋转60°、120°或180°。

10.一种用于制造第III族氮化物结构的方法，包括

设置基板；

在所述基板上设置掩膜，所述掩膜包括至少一个加长的孔；

在所述基板上生长第一第III族氮化物，从而在所述至少一个加长的孔的位置处获得由所述第一第III族氮化物制成并且具有含至少四条边的底部的内棱锥；

在所述第一第III族氮化物上沉积第二第III族氮化物的内部第一层；

在所述第二第III族氮化物上沉积第三第III族氮化物的外部第二层；

其中所述第二第III族氮化物具有比所述第一第III族氮化物更窄的带隙，和比所述第三第III族氮化物更窄的带隙，

由此在所述至少一个加长的孔的位置处获得具有加长的底部的至少一个结构棱锥，所述加长的底部具有至少四条边，并由此所述至少一个结构棱锥具有上脊部，该上脊部具有至少一个各向异性量子点，以及

其中获得与所述各向异性量子点的所述上脊部的方向相关的平行的偏振光。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述加长的孔在加长的方向上的长度比所述加长的孔的宽度长至少0.2μm。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述加长的孔在加长的方向上的长度比所述加长的孔的宽度长至少0.8μm。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中在所述基板上生长所述第一第III族氮化物直至在沉积所述第一层和第二层后，所述上脊部的宽度等于或小于300nm。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中所述加长的孔呈由矩形连接的两个半圆的形式，其中所述矩形的宽度等于所述半圆的直径并且所述矩形的长度大于0。

15.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，还包括在所述基板上生长所述第一第III族氮化物的底层的步骤，在所述底层上设置所述掩膜并且在所述底层上生长所述第一第III族氮化物；在所述基板上设置掩膜之前实施所述步骤。