[发明专利]与保护写入到非易失性存储器的系统关键数据相关联的技术

说明书

公开了针对与保护被写入到非易失性存储器的系统关键数据相关联的技术的示例。在一些示例中，系统关键数据可以通过使用第一数据保护方案而被写入到非易失性存储器。包括非系统关键数据的用户数据还可以通过使用第二数据保护方案而被写入到非易失性存储器。针对这些示例，两个数据保护方案可以具有相同的给定数据格式大小。提供针对第一数据保护方案的使用的各种示例，其与通过使用第二数据保护方案提供给用户数据的保护相比，可以提供针对系统关键数据的增强的保护。描述并要求保护其它示例。

背景技术

计算设备可以包括诸如两级存储器（2LM）设备或固态驱动（SSD）设备之类的存储器设备的类型的使用。这些类型的存储器设备可以包括诸如NAND闪速存储器、NOR闪速存储器或相变存储器之类的非易失性存储器。经常，诸如针对计算设备和/或存储器设备的固件镜像（firmware image）之类的系统关键数据可以被存储在非易失性存储器中。如果该系统关键数据可能变为损坏（例如不可校正的错误），那么可能致使计算设备或存储器设备是不运转的（non-functional）（例如锁死（lockup））。与非易失性存储器相关联的物理机制可以导致数据保留问题。例如NAND闪速存储器中的电荷损失可能导致数据保留问题。相变存储器中的漂移（drift）或结晶化也可能导致数据保留问题。

附图说明

图1 图示了示例性存储器系统。

图2图示了示例性第一数据格式。

图3图示了示例性第二数据格式。

图4图示了示例性第三数据格式。

图5图示了示例性第四数据格式。

图6图示了示例性第五数据格式。

图7图示了示例性漂移计时器。

图8图示示例性多脉冲验证过程。

图9图示了示例性装置。

图10图示了示例性逻辑流程。

图11图示了示例性储存介质。

图12图示了示例性计算平台。

具体实施方式

如在本公开中所预计的，与非易失性存储器相关联的物理机制或随机错误可能导致针对系统关键数据的数据保留问题。包括非系统关键数据的用户数据可能面临相同的数据保留问题。然而，用户数据中的数据损坏（corruption）可能是不可能使计算或存储器设备变为不运转的。因此，与系统关键数据相比，对于用户数据可以允许对于数据损坏的更高的容忍度。通常，由于对于错误的较低的容忍度，相比于用户数据，系统关键数据可能具有附加的保护水平。附加的保护水平尝试消除或者大体上减少至少一些数据损坏的影响，所述至少一些数据损坏潜在地由与非易失性存储器相关联的物理机制引起或者来自随机错误。

在一些示例中，针对系统关键数据的附加的保护水平可以包括存储系统关键数据的多份副本用于冗余。在使用多级单元（MLC）技术（诸如针对NAND闪速存储器）的示例中，附加的保护水平可以包括以单级单元（SLC）格式存储或写入系统关键数据。对于这些示例，与以MLC格式存储相比，以SLC格式存储系统关键数据可以增加保留裕度。