[发明专利]用于多孔电化学电容器的毫微级加工结构

权利要求书

1.一种能量存储设备，包括：

在导电结构内包含多个主通道的多孔结构；

其中所述主通道的每一个具有至所述多孔结构的主表面的开口，以及所述主通道的每一个对所述主表面成锐角地延伸到所述导电结构中，其中所述主通道的每一个包括交替的储蓄器区域和连接区域，其中储蓄器区域比连接区域宽，并且储蓄器区域和连接区域构成沙漏形状；以及

侧通道，所述侧通道从所述主通道的每一个的侧表面延伸到所述导电结构中。

2.如权利要求1所述的能量存储设备，其中每个主通道沿着对所述主表面成锐角朝向的晶体平面方向延伸到所述导电结构中。

3.如权利要求1所述的能量存储设备，其中：

所述主表面是（1011）表面，以及所述主通道的每一个沿着对所述主表面成锐角的<100>晶体平面方向延伸到所述导电结构中；

所述主表面是（322）表面，以及所述主通道的每一个沿着对所述主表面成锐角的<100>晶体平面方向延伸到所述导电结构中；

所述主表面是（111）表面，以及所述主通道的每一个沿着对所述主表面成锐角的<113>晶体平面方向延伸到所述导电结构中；或

所述主表面是（5512）表面，以及所述主通道的每一个沿着对所述主表面成锐角的<100>晶体平面方向延伸到所述导电结构中。

4.一种能量存储设备，包括：

在导电结构内包含多个主通道的多孔结构；

其中所述主通道的每一个具有至所述多孔结构的主表面的开口，以及所述主通道的每一个对所述主表面成锐角地延伸到所述导电结构中，其中所述主通道的每一个包括交替的储蓄器区域和连接区域，其中储蓄器区域比连接区域宽，并且储蓄器区域和连接区域构成沙漏形状；以及

第二导电结构中的第二多孔结构，以及介于所述多孔结构与所述第二多孔结构之间的分隔器。

5.如权利要求4所述的能量存储设备，其中所述第二多孔结构包含多个第二主通道，以及所述第二主通道的每一个具有至所述第二多孔结构的第二主表面的第二开口，以及所述第二主通道的每一个对所述第二主表面成第二锐角延伸到所述第二导电结构中；以及

其中所述主表面与所述第二主表面是彼此平行的，并且沿着同一个晶体平面来形成。

6.一种能量存储设备，包括：

导电结构内的多孔结构，所述多孔结构包含位于所述多孔结构的主表面中的V槽凹进或棱锥形凹进的阵列；以及

多个主通道，对于每个V槽凹进或棱锥形凹进，所述多个主通道延伸到所述导电结构中，其中每一个主通道具有对应V槽凹进或棱锥形凹进中的开口，其中所述主通道的每一个包括交替的储蓄器区域和连接区域，其中储蓄器区域比连接区域宽，并且储蓄器区域和连接区域构成沙漏形状。

7.如权利要求6所述的能量存储设备，还包括第二导电结构内的第二多孔结构，以及介于所述多孔结构与所述第二多孔结构之间的分隔器，其中所述分隔器延伸到V槽凹进或棱锥形凹进的阵列中。

8.如权利要求7所述的能量存储设备，其中所述第二多孔结构包括掺锂的碳或纳米金刚石薄膜。

9.如权利要求8所述的能量存储设备，其中所述第二多孔结构延伸到所述V槽凹进或棱锥形凹进的阵列中。

10.如权利要求7所述的能量存储设备，其中所述第二导电结构是从如下组成的集合中选择的材料：碳、基于碳的材料以及伪电容材料。

11.如权利要求7所述的能量存储设备，其中所述第二多孔结构包含位于所述第二多孔结构的第二主表面中的V槽凹进或棱锥形凹进的第二阵列；以及

主通道的第二阵列，所述主通道的第二阵列延伸到所述第二导电结构中，其中每一个主通道具有对应V槽凹进或棱锥形凹进中的开口，其中所述第二多孔结构延伸到所述多孔结构的所述V槽凹进或棱锥形凹进中。