[发明专利]偏振光分离元件的制造方法以及偏振光分离元件有效

专利信息
申请号: 201380045158.4 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN104583822B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 郑镇美;李钟炳;辛富建;金在镇 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02B5/20;G02F1/13
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 代理人: 李静,黄丽娟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 偏振光 分离 元件 制造 方法 以及
【说明书】:

技术领域

本申请涉及一种使用溶液法来制造偏振光分离元件的方法,以及由该方法制造的偏振光分离元件。

背景技术

偏振光分离元件,即一种传输入射到该元件的光中的一种类型的偏振光,而吸收或反射其他类型的偏振光的元件,可以用于多种用途。

例如,偏振光分离元件可以用于形成液晶定向层。也就是说,使用能够通过光照射处理表面来排列液晶分子的光定向层(photo alignment layer)作为液晶定向层,所述光定向层可以通过例如用线性偏振光照射感光材料层,并定向排列感光材料来形成,而偏振光分离元件可以用于这种线性偏振光的形成。例如,专利文件1公开了一种使用铝制备的元件,作为上述的偏振光分离元件的一个实例。

而且,例如,传输入射到该元件的光中的一种偏振光而反射另一种偏振光的一种类型的偏振光分离元件,也可以用于增亮膜。

[现有技术文件]

[专利文件1]韩国专利公告No.2002-0035587

发明内容

技术问题

本申请提供一种偏振光分离元件的制造方法及偏振光分离元件。

技术方案

本申请涉及一种偏振光分离元件的制造方法。在本说明书中,术语“偏振光分离元件”可以表示能够从入射到该元件的光中提取出处于偏振状态的光的所有类型的元件。在上面的描述中,处于偏振状态的光可以是线性偏振的、圆偏振的或者椭圆偏振的光。在一个实施方案中,偏振光可以是线性偏振光。在上面的描述中,处于偏振状态的光也可以是紫外光或者可见光。在本说明书中,术语“紫外线”可以表示,例如,波长范围在约250nm到约350nm、约270nm到约330nm或者约290nm到约310nm的电磁波,以及术语“可见光”可以表示波长范围在约360nm到700nm或者约400nm到700nm的电磁波。

一种示例性的分离元件可以包括基材层和形成在该基材层上的凸部。所述凸部可以为金属凸部。在本说明书中,术语“金属凸部”可以表示仅由金属形成或者包含金属作为主要组分的凸部。在上面的描述中,“包含金属作为主要组分”可以表示金属在凸部中的含量为70wt%以上、75wt%以上、80wt%以上、85wt%以上或90wt%以上。所述凸部可以具有条纹形状,并且可以在所述基材层上形成至少两个以上的凸部。条纹形的凸部可以相互基本平行地放置在基材层上。对在基材层上以条纹形状形成的凸部的数目不加以特别限制,并且例如,可以鉴于待分离的光的强度来选择。通常,在基材层上每1m2可以存在约2,000,000到10,000,000个凸部。

所述分离元件可以表现出对于较宽波长范围的光,例如较宽波长范围的紫外光或者可见光的优异的分离效率。分离元件的分离效率可以由传输到分离元件的光中垂直于条纹形凸部的偏振光的强度与平行于该凸部的偏振光的强度的比例来定义。也就是说,所述分离元件可以显示出传输具有垂直于凸部的矢量的光(称作P偏振光)而反射和分离具有平行于凸部的矢量的光(称作S偏振光)的性能,并且可以由P偏振光与S偏振光的比例来定义效率。

例如,在所述分离元件中,由下面的表达式1计算的R可以为15以上、20以上、25以上、30以上、35以上、40以上或45以上。对由表达式1计算的R的上限不加以特别限制。也就是说,R越大,分离元件显示出越优异的效率。考虑到实用性,R可以为例如2,000以下、1,500以下、1,000以下、900以下、800以下、700以下、600以下、500以下、400以下、300以下、200以下或150以下。

[表达式1]

R=TC/TP

在表达式1中,TC为相对于偏振光分离元件以与条纹形状的金属凸部垂直的方向偏振的、具有250nm到350nm或360nm到700nm范围内的波长中的一种波长的光的透射率;TP为相对于偏振光分离元件平行于条纹形状的金属凸部偏振的、具有250nm到350nm或360nm到700nm范围内的波长中的一种波长的光的透射率。应用在表达式1中的光的波长可以在约270nm到约330nm或者约290nm到约310nm的范围内。

图1为示意性地示出了示例性的偏振光分离元件的横截面的视图,并且图2为示意性地示出了示例性的偏振光分离元件的上面的视图。如图1和图2所示,所述偏振光分离元件可以包括基材层1和形成在基材层1上的凹-凸部2。

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